LESD9D3.3ST5G 是一款由ON Semiconductor生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电和其他低能量电压瞬变的影响而设计。LESD9D3.3ST5G采用9通道配置,适用于需要高可靠性ESD保护的应用场景。该器件采用小型TSSOP封装,便于在空间受限的电路板上安装。
类型:ESD保护二极管阵列
通道数:9
工作电压:3.3V
最大反向工作电压:5.5V
最大箝位电压:8.5V(在Ipp = 1A时)
峰值脉冲电流:1A(每通道)
响应时间:小于1ns
封装类型:TSSOP
引脚数:16
工作温度范围:-40°C至+85°C
LESD9D3.3ST5G采用先进的硅雪崩技术,确保在瞬态电压事件期间快速响应和低箝位电压。该器件的每个通道都可以承受高达±8kV的接触放电和±15kV的空气放电,符合IEC 61000-4-2标准的要求。LESD9D3.3ST5G的低电容特性使其非常适合用于高速数据线路的保护,而不会影响信号完整性。此外,该器件的低漏电流在正常工作条件下通常低于10nA,从而减少了对系统功耗的影响。
LESD9D3.3ST5G的封装设计使其适用于各种PCB布局,并且可以通过标准的表面贴装工艺进行安装。其小型TSSOP封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和机械稳定性。由于其高可靠性和耐用性,LESD9D3.3ST5G广泛应用于便携式电子设备、通信设备和工业控制系统中。
LESD9D3.3ST5G主要用于需要高精度ESD保护的电子设备中。典型应用包括USB接口、HDMI接口、以太网接口等高速数据传输线路的保护。该器件还可用于保护智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和其他便携式电子设备中的敏感电路。在工业应用中,LESD9D3.3ST5G可以用于保护PLC、传感器和通信模块等设备免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响。
LESD9D3.3ST5G的替代型号包括TI的TPD4E001和NXP的PRTR5V0U2F。