类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：8mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP/DFN

TE811P08S 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)）为8mΩ，这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的最大漏源电压为80V，能够支持较高电压的功率转换应用，如电源适配器、服务器电源和工业电机驱动等。
　　其次，TE811P08S 具备高达120A的连续漏极电流能力，适合高功率密度设计，满足现代电子设备对高效、小型化的需求。其栅源电压范围为±20V，支持广泛的驱动电路兼容性，同时具备良好的抗过压能力。
　　在开关性能方面，TE811P08S 具备快速开关速度，减少开关损耗，并提升整体系统效率。其封装形式为表面贴装（如SOP或DFN），不仅节省空间，而且有助于提高散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，内置的热保护机制可在高温条件下防止损坏，提高系统的可靠性和寿命。

TE811P08S 广泛应用于多个高性能功率电子领域，尤其适用于需要高效率和高电流处理能力的场合。例如，在DC-DC转换器中，该器件能够实现高效率的能量转换，广泛用于电源模块、通信设备和工业控制系统。在电机驱动应用中，TE811P08S 可作为主开关元件，提供稳定可靠的高电流输出，支持精确的速度和扭矩控制。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、不间断电源（UPS）和储能系统等应用。在这些应用中，TE811P08S 的低导通电阻和高电流能力有助于延长电池寿命并提高系统效率。同时，由于其优异的开关特性和热稳定性，该MOSFET也可用于高频开关电源和LED照明驱动电路。
　　在汽车电子领域，TE811P08S 可用于车载充电器、电驱系统和电池保护电路，满足汽车应用对高可靠性和高稳定性的要求。

Si7486DP, IRF1324S-7PPBF, FDS8873