类型：NOR Flash
　　容量：16 Mbit (2MB)
　　组织结构：1 x 16-bit
　　工作电压 - VCC：3.3V ± 10%
　　工作电压 - VCCQ：3.3V 或 5V 兼容
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：48-pin TSOP
　　编程电压：12V（VPP，用于强制编程和批量擦除）
　　待机电流：典型值 20μA，最大值 100μA
　　读取电流：典型值 20mA
　　编程/擦除电流：典型值 25mA
　　接口类型：异步并行接口
　　写保护功能：支持软件和硬件写保护
　　擦除周期数：100,000 次（典型）
　　数据保持时间：10 年（最小）

TE28F800C3TA90具备卓越的多层存储架构和高效的命令集控制机制，支持混合读写操作，可在同一芯片内实现代码执行与数据存储的共存，显著提升系统效率。其StrataFlash技术允许每个存储单元存储两个比特的数据，从而在相同物理尺寸下提供更高的存储密度，相比传统NOR Flash更具成本优势。该芯片支持页编程功能，允许以较小的数据单位进行写入操作，提高了编程灵活性和效率。同时，其内部状态机自动管理编程和擦除过程，减轻了主控处理器的负担，确保操作的可靠性。
　　该器件具有强大的错误管理能力，内置的状态寄存器可实时反馈编程或擦除操作的状态，包括是否成功完成、是否存在超时或电压异常等问题，使系统能够及时响应故障并采取相应措施。此外，TE28F800C3TA90支持硬件复位功能，当系统出现异常时，通过拉低RESET引脚即可将芯片恢复至默认读模式，避免因误操作导致系统锁死。
　　在功耗管理方面，该芯片提供多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，适合电池供电或节能要求高的应用场景。其快速访问时间（90ns）保证了高速数据读取性能，满足实时系统的响应需求。制造工艺上采用可靠的CMOS技术，具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂电磁环境中稳定运行。
　　为了增强系统安全性，该芯片支持加密识别码写入功能，可用于设备认证或防伪设计。Intel还为其提供完整的开发工具链支持，包括编程器、仿真器和固件库，极大简化了产品开发流程。整体而言，TE28F800C3TA90是一款兼顾性能、可靠性和兼容性的高性能NOR Flash器件，适用于对数据完整性要求严格的工业级应用环境。

TE28F800C3TA90广泛应用于各类需要高性能、高可靠性的嵌入式非易失性存储场景。在通信设备中，常用于路由器、交换机和基站模块中存储固件、配置文件和启动代码，因其快速随机读取能力，支持XIP（eXecute In Place）技术，即处理器可以直接从闪存中执行程序代码，无需先加载到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。在工业控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程终端单元（RTU），用于保存控制逻辑、校准参数和历史日志数据，在恶劣环境下仍能保持数据完整性。
　　在消费类电子产品中，如数字电视、机顶盒、打印机和多媒体播放器，TE28F800C3TA90用于存储操作系统、用户界面和应用软件，其5V I/O兼容性便于与传统微控制器连接。此外，在医疗设备、测试仪器和汽车电子模块中也有广泛应用，例如用于存储设备校准数据、诊断程序和事件记录，满足长期稳定运行的需求。
　　由于其支持硬件写保护和宽温工作能力，该芯片特别适用于户外设备、安防监控系统和电力监控装置等对环境适应性和数据安全性要求较高的场合。同时，其成熟的生态系统和广泛的第三方支持使其成为许多老旧系统升级或维护时的优选替换方案。

SST39VF800A-90-4C-FKE