型号：RA13H4452M
　　类型：高频片式电感
　　电感值：4.4 nH
　　容差：±0.1 nH
　　自谐振频率（SRF）：≥ 13 GHz
　　直流电阻（DCR）：≤ 280 mΩ
　　最大额定电流：120 mA
　　Q值（典型值）：≥ 60 @ 1 GHz
　　封装尺寸：1005（1.0 × 0.5 mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　端接电极：内部Ni/Cu/Sn电极，外部镀层兼容无铅焊接

RA13H4452M作为Murata RA13H系列中的高精度射频电感，其核心优势在于卓越的高频性能和极高的稳定性。该器件采用了村田独有的低温共烧陶瓷（LTCC）工艺与精密绕线结构设计，有效降低了寄生电阻和分布电容，从而显著提升了自谐振频率（SRF）和Q值。在1GHz工作频率下，其典型Q值可达60以上，这意味着在高频信号处理过程中能量损耗极小，非常适合用于对插入损耗要求极为严格的射频匹配电路中。高Q值不仅有助于提高滤波器的选择性，还能增强振荡器的相位噪声性能，对于追求高信噪比和高灵敏度的无线通信系统至关重要。
　　该电感的电感值标称为4.4nH，容差控制在±0.1nH以内，体现了极高的制造精度。这种级别的容差保证了批量使用时的一致性，减少了因元件偏差导致的调试难度和性能波动，特别适合自动化生产和高频校准应用。同时，其自谐振频率高达13GHz以上，意味着即使在5G通信常用的Sub-6GHz频段（如3.5GHz或5.8GHz）工作时，也能远离谐振点，保持理想的电感行为，避免因接近SRF而导致的阻抗失真或性能下降。
　　在可靠性方面，RA13H4452M具备出色的温度稳定性和抗老化能力。其陶瓷基体材料具有极低的热膨胀系数，配合稳定的金属化系统，在-55°C至+125°C的宽温范围内电感值变化极小，确保系统在极端环境下依然稳定运行。此外，其端子采用多层金属化结构（Ni/Cu/Sn），不仅增强了焊接可靠性，还具备良好的耐湿性和抗迁移能力，满足IPC/JEDEC标准下的长期可靠性要求。封装尺寸仅为1.0×0.5mm（即0402英制尺寸），极大节省了PCB空间，适应高密度布局需求，是现代超薄移动终端的理想选择。
　　值得一提的是，该器件在抗磁干扰和低耦合方面也进行了优化设计，减少相邻元件之间的互感影响，提升整体EMI性能。综合来看，RA13H4452M凭借其高频特性、高精度、小尺寸和高可靠性，成为高端射频设计中不可或缺的关键元件之一。

RA13H4452M主要应用于各类高频和射频电子设备中，尤其适合工作频率在GHz级别的无线通信系统。其典型应用场景包括但不限于：智能手机和平板电脑中的射频前端模块（RF Front-End Module, FEM），用于功率放大器（PA）输出匹配网络、低噪声放大器（LNA）输入匹配电路以及天线调谐单元（Antenna Tuning Unit），以实现最佳阻抗匹配，提升发射效率和接收灵敏度。此外，该电感广泛用于Wi-Fi 6/6E（5GHz/6GHz频段）、蓝牙、Zigbee等短距离无线通信模块中，作为LC滤波器或谐振回路的关键组成部分，有效抑制带外干扰并提升信号纯净度。
　　在5G移动通信基础设施中，RA13H4452M可用于小型基站（Small Cell）、毫米波前端模组以及射频收发器的匹配网络设计，尤其是在Sub-6GHz频段的应用中表现优异。其高Q值和高SRF特性使其能够胜任高数据速率传输下的信号完整性要求。在物联网（IoT）设备中，如智能穿戴设备、无线传感器节点和RFID读写器，该电感因其微型化封装和低功耗特性而备受青睐，有助于延长电池寿命并缩小产品体积。
　　其他应用还包括卫星导航系统（如GPS、北斗）的射频前端滤波电路、无人机通信链路、汽车雷达和V2X（车联网）模块等对高频性能要求严苛的领域。在测试测量仪器中，RA13H4452M也可用于构建高精度射频校准电路或参考振荡器，确保测试结果的准确性和重复性。总之，凡是需要在GHz频段实现高效、稳定、低损耗电感功能的场合，RA13H4452M都是一个极具竞争力的解决方案。

LQW15AN4N4D00D
　　RLC1812-4N4J1R2
　　DAT21A-4N4X