时间：2025/10/28 14:16:20
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TE28F320B3BA100是英特尔（Intel）推出的一款并行接口的32兆位（4MB）NOR闪存芯片，属于Intel StrataFlash? Embedded Memory家族中的第二代产品。该器件采用先进的ETOX?（EPROM Tunnel Oxide）技术制造，支持多电平存储单元技术，能够在每个存储单元中存储多个比特信息，从而在不显著增加芯片面积的前提下提升存储密度和降低成本。TE28F320B3BA100工作电压为3.0V至3.6V，适用于低功耗嵌入式系统应用。其封装形式为64引脚TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB设计中使用。该芯片具备高性能读取能力，典型访问时间为100纳秒，适合需要快速代码执行的应用场景，如工业控制、网络设备、通信基站和医疗仪器等。TE28F320B3BA100支持页编程模式，提高了写入效率，并内置了命令寄存器接口，兼容JEDEC标准的CFI（Common Flash Interface），使得主机系统能够自动识别芯片的电气特性和结构参数，简化了系统设计与软件开发流程。此外，该器件还集成了硬件写保护功能以及块锁定机制，可防止关键数据区域被意外擦除或改写，增强了系统的可靠性和数据安全性。
容量：32 Mbit (4 MB)
电压范围：3.0V 至 3.6V
访问时间：100 ns
接口类型：并行（x16）
封装类型：64-pin TSOP Type II
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
编程电压：内部电荷泵生成
擦除方式：按块擦除（支持多种块大小配置）
总线宽度：16位
待机电流：< 100 μA
编程/擦除耐久性：10万次循环
数据保持时间：10年（典型值）
TE28F320B3BA100采用Intel专有的StrataFlash技术和ETOX?单元结构，实现了高密度与高可靠性的结合。其核心优势在于支持多电平存储（MLC）技术，通过精确控制浮栅晶体管中的电荷量，在同一物理存储单元内表示多个状态（例如四个阈值电压等级对应两位数据），从而将存储容量提升一倍，相比传统单电平闪存（SLC）更具成本效益。这种设计特别适合对成本敏感但又需要较大代码存储空间的嵌入式系统。该芯片具备高效的页编程功能，允许一次写入多个字（通常为32字或64字），显著提升了编程速度并减少了CPU干预频率，优化了整体系统性能。
器件内部集成智能算法控制器，支持自动编程和自动擦除操作，所有时序和电压调节均由片上逻辑完成，无需外部高压电源。用户只需向特定地址写入标准化的命令序列即可启动相应操作，极大简化了驱动程序开发。CFI（Common Flash Interface）支持使系统能够在运行时读取芯片的身份信息、电压要求、定时参数和块布局结构，实现真正的即插即用兼容性，有利于不同厂商闪存之间的替换与升级。此外，该芯片提供灵活的块架构，包含多个可独立擦除的扇区（包括一个较小的引导块用于存放BIOS或引导代码），支持细粒度管理，有助于实现增量更新和固件分区策略。
在可靠性方面，TE28F320B3BA100具备强大的错误管理机制，包括ECC建议使用外部校验以增强数据完整性。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保在恶劣工业环境中稳定运行。写保护引脚（WP#）和软件锁定位共同作用，防止在电源不稳定或系统异常期间发生误操作。整体设计注重长期数据保持能力，即使在高温环境下也能保证十年以上的数据保存周期，满足严苛应用场景的需求。
TE28F320B3BA100广泛应用于各类需要非易失性代码存储的嵌入式系统中。常见用途包括网络基础设施设备如路由器、交换机和防火墙，其中用于存储操作系统映像和配置文件；工业控制系统中的PLC、HMI面板和远程终端单元（RTU），依赖其快速启动能力和高可靠性进行现场数据处理与控制指令执行；电信基站和无线接入点利用该芯片存放协议栈和射频校准数据；医疗电子设备如监护仪、诊断仪器也采用此类闪存来确保存储的关键算法和患者设置信息的安全持久化；此外，在消费类高端设备如打印机、POS终端和智能家居网关中也有应用。由于其支持XIP（Execute-In-Place）特性，处理器可以直接从闪存中执行代码，无需先加载到RAM，节省内存资源并加快启动速度，因此非常适合资源受限但对响应时间有要求的实时系统。
MT28EW32A-10GIT-TR
S29GL032M-10TCHI010
IS28F320J3D-100
