时间：2025/4/29 15:43:55
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FGP15N60UNDF是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适合在汽车电子、工业控制、电源管理等领域的电路中使用。
FGP15N60UNDF的耐压能力高达600V，能够承受较大的电压波动，并且其漏源极导通电阻较低，从而降低了功耗并提升了效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
漏源导通电阻：3.4Ω
栅极阈值电压：4V~8V
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃~175℃
FGP15N60UNDF具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：支持最高600V的工作电压，适用于高压场景。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为3.4Ω，在大电流应用中可以显著降低损耗。
3. 快速开关性能：具备较小的输入电容和输出电容，有助于实现高效的开关操作。
4. 耐热增强型封装：TO-220封装提供良好的散热性能，确保长时间稳定运行。
5. 高可靠性：经过严格的工艺制造流程，保证了产品在极端条件下的稳定性与耐用性。
6. 符合RoHS标准：环保材料设计满足国际环保要求。
FGP15N60UNDF广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 离线式开关电源
- DC-DC转换器
2. 电机驱动：
- 工业马达控制
- 汽车电动助力转向系统（EPS）
3. 照明系统：
- LED驱动电路
- 高压气体放电灯镇流器
4. 其他功率电子设备：
- 太阳能逆变器
- 电池充电器
- 不间断电源（UPS）
FGP15N60FD, IRFZ44N, STP16NF60
