型号：TE28F160B3BC80
　　制造商：Intel (现属Micron)
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：2M x 8 / 1M x 16
　　工艺技术：StrataFlash MLC
　　电源电压 - Vcc：2.7V 至 3.6V
　　输入/输出电压 - VIO：1.65V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：64-pin TQFP (Thin Quad Flat Package)
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　读取访问时间：80 ns (典型值)
　　写入/擦除耐久性：100,000 次循环（典型）
　　数据保持时间：10 年（最小）
　　接口类型：并行异步接口
　　支持的操作模式：读取、编程、块擦除、挂起/恢复
　　块结构：共64个块，每块256KB；支持独立块擦除
　　可靠性特性：内置ECC支持、错误管理、写保护功能

TE28F160B3BC80采用Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR架构的多层存储单元（MLC）技术，允许每个存储单元存储多个比特信息，从而实现比传统单级单元（SLC）NOR Flash更高的存储密度。这一特性使得该芯片在保持原有封装尺寸的同时，将存储容量提升了一倍以上，非常适合需要大容量非易失性存储但受限于板级空间的设计需求。其内部集成了高效的电荷泵电路，可在标准电源电压下完成编程与擦除操作，无需外部高压支持，简化了系统电源设计。
　　该器件支持灵活的块管理机制，共分为64个256KB大小的可独立擦除块，允许细粒度的数据更新和分区管理，提升了文件系统或固件升级时的操作效率。同时，它具备硬件写保护功能，可通过特定引脚配置防止意外写入或擦除关键区域，增强了系统的安全性与稳定性。此外，芯片支持读写操作之间的快速切换，并可在执行擦除或编程操作期间进入“挂起”模式，允许CPU临时读取其他区域的数据，实现后台操作与前台执行的并行处理，极大提高了实时系统的响应能力。
　　在可靠性方面，TE28F160B3BC80内置错误检测与纠正（ECC）机制，能够识别和修正一定范围内的位错误，确保长期数据完整性。其数据保持能力可达10年以上，在高温环境下仍能维持良好性能。器件符合工业级环境要求，经过严格测试以确保在极端温度、湿度和振动条件下可靠运行。所有操作均遵循JEDEC标准接口协议，兼容广泛的处理器和控制器，便于系统集成。

TE28F160B3BC80广泛应用于各类嵌入式系统中，尤其适用于需要大容量代码存储和较高可靠性的工业控制设备。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业通信模块等设备中，该芯片可用于存储操作系统引导程序、应用程序代码及配置参数。其快速随机读取能力和低延迟特性使其成为XIP（eXecute In Place）架构的理想选择，即处理器可以直接从Flash中执行代码而无需加载到RAM，节省内存资源并加快启动速度。
　　在消费类电子产品中，如数字电视、机顶盒、打印机和智能家居网关等，该器件常用于存放固件映像和用户设置数据。由于支持多电压I/O接口，它可以轻松连接到不同电压等级的主控芯片（如1.8V或3.3V MCU），适应现代低功耗设计趋势。
　　此外，该芯片也常见于汽车电子系统中，包括车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和远程信息处理单元（Telematics）。这些应用场景对数据持久性和温度适应性有较高要求，而TE28F160B3BC80的工业级温度范围和高耐久性正好满足此类需求。在网络与通信领域，路由器、交换机和无线基站中的BIOS存储、配置备份等功能也依赖于此类高性能NOR Flash器件。凭借其稳定的性能和成熟的生态系统支持，TE28F160B3BC80在多年间被广泛采纳于各类关键任务系统中。

MT28EW160A