时间:2025/12/28 13:16:51
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MSP2T-18-12是一种高频功率晶体管,通常用于射频(RF)和微波放大器应用中。该器件基于硅双极性晶体管(SiGe HBT)技术,能够在高频率下提供优异的性能。MSP2T-18-12专为需要高增益和低噪声的通信系统而设计,适用于无线基础设施、测试设备和军事通信等领域。
类型:硅双极性晶体管
最大集电极电流:2 mA
最大功耗:125 mW
频率范围:18 GHz
增益:18 dB
噪声系数:1.2 dB
封装类型:TSSOP
MSP2T-18-12晶体管具有高频率性能和低噪声系数,适用于高频放大器设计。该器件在18 GHz的工作频率下仍能保持稳定的增益,适合用于5G通信和高频雷达系统。此外,其紧凑的TSSOP封装使其适用于空间受限的应用场景。
其高线性度和低失真特性有助于提高信号质量,适用于高精度测试设备和通信基站的前端模块。该晶体管的高可靠性和稳定性使其成为军用和工业级应用的理想选择。
MSP2T-18-12主要用于高频通信系统,包括5G基站、毫米波雷达、卫星通信和测试测量设备。它也适用于需要高增益和低噪声的无线基础设施和军事通信系统。
MSP4T-18-12, ATF-55143, BFP420