您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y563MBXAR31G

GA1210Y563MBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 20:15:48 查看 阅读:4

GA1210Y563MBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  此型号是为高功率密度设计优化的产品,适合在高温环境下工作,并具备出色的热性能和电气性能。

参数

器件类型:功率MOSFET
  封装类型:TO-247
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):0.04Ω
  功耗(PD):360W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  栅极电荷(Qg):180nC

特性

GA1210Y563MBXAR31G 提供了非常低的导通电阻以减少传导损耗,同时具备快速开关能力以降低开关损耗。
  其耐高压特性和大电流处理能力使其非常适合工业级和汽车级应用。
  该芯片还集成了过温保护功能,能够在极端条件下自动限制电流,从而提高系统安全性。
  此外,它的封装设计增强了散热性能,确保在高负载情况下仍能保持稳定的工作状态。
  由于采用了最新的硅技术,这款MOSFET具有更高的效率和更长的使用寿命,适用于对可靠性和性能要求极高的场景。

应用

该芯片广泛应用于开关模式电源(SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电设备以及各种工业自动化设备中。
  它也适用于需要高效能量转换的场合,例如数据中心电源供应和通信基站的供电解决方案。
  此外,在电机控制领域,如伺服驱动器和机器人控制系统中,也能发挥重要作用。

替代型号

IRFP260N, FQP18N120, STP120NF12

GA1210Y563MBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-