类型：NOR Flash
　　组织结构：16Mbit (2M x 8位 或 1M x 16位)
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：90ns
　　封装形式：TSOP48
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口
　　编程电压：片内电荷泵产生高压
　　写使能控制：有
　　状态寄存器：支持轮询检测操作完成状态
　　块结构：包含多个可独立擦除的扇区（如一个8KB小扇区，其余为32KB大扇区）
　　可靠性：典型擦写寿命10万次，数据保持时间超过100年

TE28F016B3BA-90具备多项关键技术特性，使其成为工业级嵌入式系统中理想的程序存储解决方案。首先，其采用的高性能NOR Flash架构支持XIP（eXecute In Place）功能，这意味着处理器可以直接从该Flash芯片中读取并执行代码，而无需将程序加载到RAM中，从而节省了系统资源并加快了启动速度。这一特性特别适用于路由器、PLC控制器、医疗设备等人机交互频繁且对响应时间敏感的应用场景。其次，该器件拥有出色的读取性能，90ns的访问时间能够满足大多数中速总线系统的时序要求，兼容常见的8051、ARM7、ColdFire等微控制器的外部存储器接口。在写入和擦除方面，芯片内置智能算法和电荷泵电路，仅需单一5V电源即可完成编程和擦除操作，简化了电源设计。每个扇区均可承受高达10万次的擦写循环，远超一般EEPROM的耐久性，适合需要频繁更新固件或日志记录的应用。此外，器件提供硬件和软件双重写保护机制，可通过特定引脚（如WP#）锁定部分或全部存储区域，防止因误操作或异常复位导致的关键代码丢失。状态寄存器轮询功能允许系统在编程或擦除过程中持续监测操作进度，避免盲目等待，提高系统效率。当写入失败时，状态寄存器还能反馈错误信息，便于调试和故障排查。该芯片还具备良好的环境适应能力，在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，符合工业级和汽车级应用标准。制造工艺上采用可靠的CMOS和浮栅技术，具有低功耗待机模式，在未进行读写操作时自动进入低功耗状态，有助于延长电池供电设备的工作时间。所有引脚均符合JEDEC标准，确保与其他元器件的良好兼容性。最后，由于该型号已长期在市场上使用，相关驱动代码、烧录工具和应用笔记丰富，开发门槛较低，有利于缩短产品上市周期。
　　值得一提的是，尽管随着串行SPI Flash的普及，此类并行Flash在新兴设计中有所减少，但其高带宽、低延迟和成熟生态仍使其在特定领域保持不可替代的地位。TE28F016B3BA-90的设计充分考虑了系统稳定性和长期供货需求，适合用于生命周期较长的产品项目。

TE28F016B3BA-90主要应用于需要可靠代码存储和现场可编程能力的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制设备（如PLC、HMI人机界面）、网络通信设备（如交换机、路由器、调制解调器）、汽车电子控制单元（ECU）、医疗仪器、测试测量设备以及POS终端等。在这些系统中，该芯片常用于存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像、应用程序代码、设备配置参数及校准数据。由于支持XIP（就地执行），系统可以在不占用有限RAM资源的情况下直接运行程序，特别适合资源受限的嵌入式环境。此外，在需要固件远程升级（FOTA）或现场维护的场合，其多扇区结构允许将新版本固件写入备用区后再切换运行，实现安全可靠的双区备份机制。该器件也适用于需要长期数据保存且对掉电保护要求高的场景，例如黑匣子记录仪或故障日志存储。因其具备工业级温度范围和高抗干扰能力，常被选用在恶劣电磁环境或高温高湿工业现场中使用的设备里。在研发阶段，工程师可利用通用编程器对该芯片进行预烧录，也可通过ISP（在系统编程）方式实现在线更新，提高了生产和维护效率。许多老一代但仍在服役的设备平台依然采用该型号作为主程序存储器，因此在备件替换和技术支持方面仍有较大需求。

MT28F016A-90
　　SST39SF016A-70
　　AM29LV016D-90TC
　　EON EN29LV016AB-90T