类型：高压MOSFET驱动器
　　电源电压范围：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：±1.5A
　　高压侧电压最大值：600V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：DIP-14 或 SOP-14
　　传播延迟：约120ns
　　死区时间可调：支持
　　逻辑输入类型：TTL/CMOS兼容

PBU601具备多项关键特性，使其适用于高要求的功率转换应用。
　　首先，其高压侧耐压能力达到600V，使得该芯片能够在高压环境下稳定工作，适合用于功率因数校正（PFC）、DC-AC逆变器和电机驱动等高电压应用场景。
　　其次，PBU601集成了高端和低端两个驱动通道，每个通道均具备±1.5A的峰值输出电流，能够有效驱动大功率MOSFET或IGBT，提升系统效率并减少外部元件数量。
　　该芯片采用HVIC（高压绝缘栅双极晶体管）工艺，具有良好的抗噪能力和可靠性，同时内置欠压锁定（UVLO）功能，防止在电源电压不足时误操作，提高系统的稳定性。
　　此外，PBU601支持死区时间调节功能，用户可根据系统需求设定适当的死区时间，以防止上下桥臂直通现象，从而保护功率器件。
　　其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，便于与微控制器或PWM控制器连接，简化系统设计。
　　最后，PBU601采用DIP-14或SOP-14封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业环境下的长期运行。

PBU601广泛应用于各种需要高压功率驱动的场合。在开关电源中，PBU601可用于驱动半桥或全桥拓扑结构中的MOSFET，提高转换效率并降低开关损耗。在电机驱动系统中，该芯片可作为功率级的驱动器，支持无刷直流电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）的高效控制。此外，PBU601也常用于逆变器系统，如太阳能逆变器、UPS不间断电源和工业变频器，以确保高可靠性和高效的能量转换。由于其抗噪能力强，PBU601也适用于电磁干扰（EMI）要求较高的工业自动化设备和家用电器中。

IRS2104、IR2110、LM5101、TC4420、FAN7380