时间：2025/6/17 2:25:30
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FN15N5R6C500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率、高速开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和极快的开关速度，适用于多种电力电子场景。
该型号中的关键参数包括：额定电压为 50V，连续漏极电流可达 15A，且具备良好的热性能与低栅极电荷特性，从而确保其在高频条件下的高效运行。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：3.8nC（典型值）
总电容：1450pF（输入电容）
反向恢复时间：无（由于 MOSFET 不涉及反向恢复过程）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN15N5R6C500PNG 的主要特点是低导通电阻和高效率，这使其非常适合要求严格的开关电源设计。
1. 低导通电阻 (Rds(on))：在典型条件下仅为 4.2mΩ，能够显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能：具备超低的栅极电荷 (Qg)，有助于减少开关能量损失。
3. 热稳定性强：支持高达 +175℃ 的结温，适应恶劣的工作环境。
4. 可靠性优异：符合工业标准，采用坚固耐用的封装形式，提供更高的系统可靠性。
5. 小型化封装：节省 PCB 空间，同时保持高效的散热能力。
FN15N5R6C500PNG 广泛应用于需要高效功率转换的场合：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理系统
5. 工业自动化设备
6. 通信电源
其出色的开关特性和热性能，使它成为许多高频、大电流应用的理想选择。
IRF540N
STP15NF06L
FDP15N50
