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GA1206A8R2BBBBR31G 发布时间 时间:2025/5/22 16:41:09 查看 阅读:14

GA1206A8R2BBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-247,适合大功率应用场景。
  该型号具体属于 N 治道增强型 MOSFET,能够在高频和高效率的应用中提供卓越的性能表现,例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):0.08Ω
  栅极电荷:55nC
  总电容:1500pF
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  功耗:360W

特性

GA1206A8R2BBBBR31G 具. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高开关速度,适用于高频应用场合,从而减小磁性元件的体积。
  3. 出色的热稳定性,能够承受高温环境下的长期运行。
  4. 强大的雪崩能力,确保在异常条件下也能安全工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  这些特点使它成为工业和消费类电子产品的理想选择。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
  4. 电动车和混合动力车中的牵引逆变器。
  5. 高压电源模块和不间断电源(UPS)。
  由于其高耐压和低损耗特性,它非常适合需要高效能量转换的应用场景。

替代型号

GA1206A8R2BBCCBR31G, IRFP460, FQA14P120E

GA1206A8R2BBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容8.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-