时间：2025/5/22 16:41:09
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GA1206A8R2BBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-247，适合大功率应用场景。
该型号具体属于 N 治道增强型 MOSFET，能够在高频和高效率的应用中提供卓越的性能表现，例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：6A
导通电阻（典型值）：0.08Ω
栅极电荷：55nC
总电容：1500pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
功耗：360W
GA1206A8R2BBBBR31G 具. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高开关速度，适用于高频应用场合，从而减小磁性元件的体积。
3. 出色的热稳定性，能够承受高温环境下的长期运行。
4. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下也能安全工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使它成为工业和消费类电子产品的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
4. 电动车和混合动力车中的牵引逆变器。
5. 高压电源模块和不间断电源（UPS）。
由于其高耐压和低损耗特性，它非常适合需要高效能量转换的应用场景。
GA1206A8R2BBCCBR31G, IRFP460, FQA14P120E
