TDK4443002DH 时间：2025/8/6 22:38:06 阅读：20

TDK4443002DH是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，专为高效率电源转换系统设计。该器件采用先进的U-MOS VIII-H工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于各种高性能电源应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及服务器电源系统等。TDK4443002DH采用SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在高密度PCB布局中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　存储温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：SOP（表面贴装）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：72nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：2300pF（典型值）

特性

TDK444302DH具有多项突出的电气和物理特性，确保其在严苛的工作环境中稳定运行。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件支持高达120A的连续漏极电流，能够承受高负载条件下的工作需求。此外，其SOP封装设计不仅提供了良好的散热性能，还实现了紧凑的PCB布局空间，适用于高密度电子设备。TDK4443002DH还具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，降低了系统过热失效的风险。该器件的栅极驱动电压范围宽广（最高可达20V），允许灵活的驱动电路设计，同时具备良好的开关性能，减少了开关损耗。此外，内置的快速恢复二极管可有效降低反向恢复损耗，提升整体系统效率。

应用

TDK4443002DH广泛应用于高性能电源管理系统中，包括服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、电动工具、DC-DC转换器、负载开关控制等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于高效率同步整流器和电源分配系统。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的功率管理模块，提供可靠的高功率密度解决方案。