UPS170E3/TR7 是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管专门设计用于高频放大和开关应用,具备较高的工作频率和良好的热稳定性。由于其优异的性能,UPS170E3/TR7广泛应用于射频(RF)电路、通信设备、工业控制系统以及消费类电子产品中。该器件采用表面贴装封装(SOT-23),适合高密度电路板设计。其设计确保了在高频环境下仍能保持稳定的工作状态,同时具备较低的噪声系数,适合用于前置放大器等关键信号处理环节。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(Vceo):15V
集电极-基极电压(Vcbo):30V
发射极-基极电压(Vebo):2V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Ptot):300mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
增益带宽积(fT):1.1GHz
电流增益(hFE):在2mA时为50-600(根据等级不同)
封装类型:SOT-23
UPS170E3/TR7 的核心特性之一是其高频性能。该晶体管的增益带宽积(fT)高达1.1GHz,使其在高频放大器、射频前端电路以及高速开关应用中表现出色。该器件的hFE(电流增益)范围较宽,根据不同的等级划分,可以在不同偏置电流下提供稳定的增益特性。例如,在2mA的集电极电流下,hFE值可从50到600不等,这使得该晶体管适用于多种电路设计需求。
另一个重要特性是其低噪声系数,这使其特别适用于低噪声放大器(LNA)的设计。在通信系统中,如无线接收器的前端放大器,信号往往非常微弱,因此需要使用低噪声元件来避免信号质量下降。UPS170E3/TR7 在这方面表现出色,能够有效提升接收灵敏度。
此外,该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于工业级和汽车电子应用。SOT-23封装形式不仅节省空间,而且具备良好的散热性能,适合高密度PCB布局。
UPS170E3/TR7 主要应用于高频放大器、射频接收器前端、低噪声放大器(LNA)、高速开关电路以及通用模拟电路中。在通信系统中,它常用于无线基站、Wi-Fi路由器、蓝牙模块和射频识别(RFID)设备中的信号放大环节。此外,在消费类电子产品中,如智能手机和无线耳机的射频电路中,该晶体管也广泛使用。
工业控制领域中,UPS170E3/TR7可用于传感器信号调理电路中的放大器设计,特别是在需要高频响应的场合。在测试设备和测量仪器中,该晶体管也常用于构建高频信号发生器或前置放大器模块。
2N3904, 2N4401, BFQ19, BCX56