类型: NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　集电极-基极电压（VCBO）: 40V
　　发射极-基极电压（VEBO）: 4V
　　最大集电极电流（IC）: 500mA
　　最大功耗（PD）: 400mW
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）: 100MHz
　　电流增益（hFE）: 110-800（根据不同分组）

2N157A晶体管具有优良的放大性能和稳定性，适用于中功率放大电路。它的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，这使得它可以根据具体应用选择不同的增益等级。该晶体管的增益带宽积（fT）为100MHz，表明它能够在较高的频率下保持良好的放大能力。由于其金属罐封装，2N157A具有良好的散热性能，能够承受较高的功耗，最大功耗为400mW。此外，它的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适合在各种环境条件下使用。
　　这款晶体管还具有较高的集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO），分别为30V和40V，这使其在中等电压应用中具有较高的可靠性。发射极-基极电压（VEBO）为4V，适用于常见的偏置电路设计。最大集电极电流为500mA，适合用于中等电流的开关和放大应用。2N157A的这些特性使其成为一款多功能的晶体管，广泛用于音频放大器、信号放大器和开关电路中。

2N157A主要用于音频放大器的前置放大级和中功率放大级，适合在需要良好线性度和低失真的场合使用。它也常用于射频（RF）放大电路中，特别是在低频到中频范围内。此外，该晶体管可用于各种开关电路，如继电器驱动器、电机控制器和电源管理系统。由于其良好的频率响应和稳定性，2N157A也适用于振荡器、调制器和解调器等通信设备中的信号处理电路。

2N157B, 2N157C, BC547, 2N2222