SCI7710YMA-T1 是一款由 SC International 推出的高效能、低功耗的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号主要针对需要高开关速度和低导通电阻的应用场景设计,广泛用于电源管理、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等领域。SCI7710YMA-T1 采用了先进的制造工艺,能够在高温环境下保持稳定的性能表现。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
持续漏极电流:9A
导通电阻(典型值):15mΩ
栅极电荷:4nC
总电容:860pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT-23
SCI7710YMA-T1 的核心优势在于其低导通电阻和快速开关能力。它能够有效减少功率损耗,提高整体系统的效率。
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 15mΩ,适用于大电流应用场合。
2. 快速开关特性,栅极电荷仅为 4nC,减少了开关过程中的能量损失。
3. 小型化封装(SOT-23),非常适合对空间要求严格的 PCB 布局。
4. 工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 +150℃,确保在极端环境下的可靠性。
5. 高持续漏极电流(9A),使其适合多种高负载应用场景。
SCI7710YMA-T1 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率级开关。
2. DC-DC 转换器,如降压、升压或升降压拓扑。
3. 电池管理系统(BMS),用于保护电路和负载切换。
4. 电机驱动器,特别是小型直流电机控制。
5. 消费类电子产品,例如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制。
IRF7413,
AO3400,
FDMQ8203