TDF8546J/N2 时间：2025/5/22 23:44:20 阅读：23

TDF8546J/N2 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景。这款器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
　　该芯片的特点是能够以较小的封装实现大功率输出，同时保持较低的热阻，从而提高整体系统的效率和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110A
　　导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　功耗(Ptot)：76W
　　结温范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

特性

TDF8546J/N2 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力 (Id)，使其能够在大电流应用中表现优异。
　　3. 较宽的工作电压范围 (Vds)，适合多种电路设计需求。
　　4. 快速开关性能，减少开关损耗，提升动态响应速度。
　　5. 提供出色的热稳定性，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，支持环保设计要求。
　　7. 小型化封装结合高效散热能力，简化 PCB 布局设计。

应用

TDF8546J/N2 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
　　2. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　3. 各类负载开关和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
　　6. 高效 LED 驱动器和逆变器中的功率转换部分。