TDF8546J/N2 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景。这款器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
该芯片的特点是能够以较小的封装实现大功率输出,同时保持较低的热阻,从而提高整体系统的效率和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):110A
导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
功耗(Ptot):76W
结温范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-247
TDF8546J/N2 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力 (Id),使其能够在大电流应用中表现优异。
3. 较宽的工作电压范围 (Vds),适合多种电路设计需求。
4. 快速开关性能,减少开关损耗,提升动态响应速度。
5. 提供出色的热稳定性,确保在高温环境下仍能稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,支持环保设计要求。
7. 小型化封装结合高效散热能力,简化 PCB 布局设计。
TDF8546J/N2 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
6. 高效 LED 驱动器和逆变器中的功率转换部分。
TDF8546, IRF840, STP110N06L