类型：碳化硅肖特基二极管
　　极性：单二极管
　　反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：1 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30 A
　　正向电压降（VF）：典型值1.7 V @ 1 A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：最大值200 μA @ 1200 V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约40 K/W
　　封装类型：表面贴装，类似SMA或PowerDI封装
　　安装类型：表面贴装

UWT1V4R7MCR1GB 的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造而成，这使得它在多个关键性能指标上远超传统硅基PIN二极管。首先，在正向导通状态下，该器件表现出较低的正向压降（VF），通常在1.7V左右（@1A, 25°C），尽管略高于某些硅器件，但由于其无反向恢复电荷的特性，整体功耗更低。更重要的是，作为肖特基势垒二极管，它不存在少数载流子存储效应，因此在关断过程中不会产生反向恢复电流（IRR）或反向恢复电荷（QRR），这一特性极大地减少了开关损耗，尤其在高频DC-DC转换器、PFC电路和桥式整流拓扑中具有显著优势。此外，没有反向恢复过程也意味着几乎消除由di/dt引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而提升了系统的电磁兼容性，并允许使用更小体积的滤波元件。
　　其次，该器件具备卓越的高温工作能力，最大结温可达+175°C，远高于普通硅二极管的+150°C限制。这意味着即使在高温环境或散热条件受限的情况下，UWT1V4R7MCR1GB 仍能保持稳定运行，延长系统寿命并提高可靠性。同时，其反向漏电流虽随温度升高而增加，但在正常工作范围内仍处于可接受水平（例如在150°C时典型值约为几mA量级）。再者，该器件拥有优良的热导率和较低的热阻（RθJC ~40 K/W），有助于将内部产生的热量高效传递至PCB或散热结构，进一步增强功率处理能力。最后，其表面贴装封装形式不仅节省空间，还支持自动化生产，适合现代高密度电源模块的设计需求。综合来看，这些特性使UWT1V4R7MCR1GB 成为追求高效、小型化和高可靠性的先进电力电子系统的理想选择。

UWT1V4R7MCR1GB 被广泛应用于各类需要高效能、高频率和高温稳定性的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，该器件常被用作输出整流二极管或PFC（功率因数校正）升压二极管，因其零反向恢复特性可大幅降低开关损耗，提升整体转换效率，满足80 PLUS钛金等高标准能效认证要求。在太阳能光伏逆变器中，该二极管可用于直流侧防反接保护或MPPT电路中的辅助整流，帮助实现更高的能量转换效率和系统长期稳定性。在电动汽车相关设备中，如车载充电机（OBC）和直流充电桩的电源模块，UWT1V4R7MCR1GB 可用于高压整流和电压钳位功能，利用其快速响应能力和耐高温特性适应复杂工况。此外，在工业电机驱动和变频器中，该器件可用于制动单元或续流路径，提供可靠的能量回馈通道。在UPS（不间断电源）和HVDC（高压直流）配电系统中，其高电压耐受能力和长期可靠性使其成为关键组件之一。另外，由于其小巧的表面贴装封装，也适用于紧凑型AC-DC和DC-DC电源适配器、LED驱动电源以及高端消费类电子产品中的辅助电源设计。总之，凡是涉及1200V电压等级且对效率、尺寸和热管理有较高要求的应用场景，UWT1V4R7MCR1GB 均具备较强的适用性和竞争优势。

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　　 "UWTV4R7M3S",
　　 "C4D01120A",
　　 "FFSH10120A",
　　 "STPSC1H12Y"
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