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TD356CT1-G 发布时间 时间:2025/7/8 17:06:23 查看 阅读:10

TD356CT1-G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于多种开关电源和电机驱动应用。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  其封装形式为 TO-220,适合表面贴装和通孔安装,广泛应用于工业控制、消费电子以及通信设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关频率:500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

TD356CT1-G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在满载条件下可有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,支持高达 500kHz 的开关频率,适合高频应用场景。
  3. 内置过温保护功能,当芯片温度超过安全阈值时会自动关闭,从而防止器件损坏。
  4. 强大的短路耐受能力,能够在短时间内承受异常大电流冲击。
  5. 采用 TO-220 封装,散热性能优越,便于系统集成。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计,满足国际法规要求。

应用

该芯片的应用领域非常广泛,主要包括以下几个方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件,用于控制直流无刷电机或步进电机。
  3. LED 驱动器中的功率开关,提供稳定电流输出以确保照明效果。
  4. 充电器和适配器设计中的功率转换模块。
  5. 各类工业自动化设备中的负载开关或功率放大器组件。
  6. 汽车电子系统中的 DC/DC 转换器或逆变器部分。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, STP55NF06L