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BFP620 发布时间 时间:2025/4/28 18:45:02 查看 阅读:2

BFP620是一种双极性晶体管(BJT),具体为硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)。它专为高频和宽带应用而设计,具有高增益、低噪声和卓越的线性度。该器件通常用于射频(RF)和微波电路中,如低噪声放大器(LNA)、混频器和振荡器等。
  BFP620的工作频率范围可以达到GHz级别,适用于各种无线通信系统。其出色的电气性能使其成为高频信号处理的理想选择。

参数

集电极-发射极电压:35V
  集电极电流:200mA
  过渡频率(fT):18GHz
  最大工作频率(fMAX):25GHz
  增益带宽积:10GHz
  噪声系数:1dB
  功耗:400mW

特性

BFP620晶体管采用了先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有以下显著特点:
  1. 高频率响应:其过渡频率(fT)高达18GHz,支持高频和宽带应用。
  2. 低噪声性能:在高频下表现出较低的噪声系数(约1dB),非常适合低噪声放大器设计。
  3. 高线性度:能够减少信号失真,提高系统整体性能。
  4. 稳定性:在较宽的温度范围内保持良好的性能稳定性。
  5. 小尺寸封装:便于集成到紧凑型电路设计中。

应用

BFP620晶体管广泛应用于高频电子设备中,主要用途包括:
  1. 低噪声放大器(LNA):用于接收机前端以增强弱信号。
  2. 混频器:将不同频率的信号混合在一起或分离出来。
  3. 振荡器:生成稳定的高频信号源。
  4. 无线通信系统:如蜂窝基站、卫星通信和雷达系统中的信号处理模块。
  5. 测试与测量设备:例如频谱分析仪和网络分析仪等需要高性能射频组件的应用场景。

替代型号

BFP640
  BFP740

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BFP620参数

  • 晶体管极性:?频道
  • 电压, Vceo:2.3V
  • 过渡频率, ft:65GHz
  • 功耗, Pd:185mW
  • 集电极直流电流:80mA
  • 直流电流增益 hFE:180
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-343
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • SMD标号:R2s
  • 关联增益 Ga:21.5dB
  • 功率, 1dB增益压缩 (P1dB):15dBm
  • 噪声:0.7dB
  • 封装类型:TSFP
  • 封装类型:TSFP4
  • 总功率, Ptot:185mW
  • 截止频率 ft, 典型值:65GHz
  • 晶体管数:1
  • 最大连续电流, Ic:80mA
  • 测试频率:1.8GHz
  • 电压, Vcbo:7.5V
  • 电流, Ic hFE:50mA
  • 电流, Ic 最大:80mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:110
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出, 三阶交叉点 IP3:25dB
  • 集电极连续电流:80mA