时间：2025/7/12 12:14:02
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TD3120R(SL)(T1)-G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率开关芯片，适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。该芯片采用了先进的 GaN FET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升电源转换效率并减小系统体积。
此器件设计用于同步整流、图腾柱 PFC 和 LLC 谐振转换器等应用场合，支持高达 MHz 级别的工作频率，同时提供出色的热性能和可靠性。
型号：TD3120R(SL)(T1)-G
封装：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源极电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：180mΩ
ID（连续漏极电流）：12A
Qg（栅极电荷）：45nC
fsw（最大开关频率）：4MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
输入电压范围：10V 至 20V
1. 基于第三代半导体材料氮化镓（GaN），具备超高开关速度和低寄生电容。
2. 极低的 RDS(on)，在高频操作下可减少传导损耗。
3. 高耐压能力（650V），适合高压环境下的电源管理应用。
4. 内置过温保护功能，确保运行安全可靠。
5. 支持 TO-252 封装，便于安装且散热性能优越。
6. 提供快速动态响应能力，适应负载瞬变需求。
7. 优化了 EMI 特性，减少了对外部滤波元件的需求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 图腾柱功率因数校正（PFC）电路。
3. LLC 谐振变换器的核心功率开关。
4. 快速充电适配器和 USB-PD 控制模块。
5. 数据中心及通信设备的高效电源解决方案。
6. 太阳能逆变器和其他工业级电源管理场景。
TD3120R(T1)-G, TPH3206WS, EPC2036
