时间：2025/6/21 8:00:24
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CL10B562KB8NNN 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC)，属于 C0G/NP0 介质类型，具有高稳定性和低温度漂移特性。该型号广泛应用于需要高频率性能和高稳定性的电路中，例如滤波、耦合、旁路以及振荡电路等场景。
CL10B562KB8NNN 的设计使其能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值，同时提供极低的ESL（等效串联电感）和ESR（等效串联电阻），非常适合高频应用。
电容值：5.6nF
额定电压：50V
公差：±5%
介质材料：C0G/NP0
封装：0603英寸
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
直流偏置特性：无显著变化
ESR：≤5mΩ
ESL：≤0.4nH
CL10B562KB8NNN 具有以下主要特性：
1. 温度稳定性极高，在整个工作温度范围内电容变化小于 ±30ppm/℃。
2. 高频性能优异，适合用于射频和高速数字电路。
3. 小型化设计，采用标准的 0603 英寸封装，节省空间。
4. 耐焊接热冲击能力强，符合 RoHS 标准。
5. 使用寿命长，可靠性高，适用于各种工业和消费电子设备。
6. 不受直流偏压影响，电容值在不同电压下保持恒定。
7. 提供卓越的抗电磁干扰能力，可有效减少噪声对电路的影响。
CL10B562KB8NNN 主要应用于以下领域：
1. 滤波电路，用于电源滤波和信号滤波以提高信号质量。
2. 耦合与解耦，用于隔离直流成分并传递交流信号。
3. 高速数字电路中的去耦电容，减少电源波动对芯片性能的影响。
4. 射频模块，如无线通信设备中的谐振和匹配电路。
5. 振荡器电路，用于定时和频率控制。
6. 工业自动化设备、医疗仪器以及汽车电子系统的高频部分。
7. 音频设备中的音频信号处理电路，提升音质表现。
CL10B562KG8NNN
GRM188R71C562KA01D
C0603C5N6B562M080AA
