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BSC080N03LS G 发布时间 时间:2025/7/3 20:03:44 查看 阅读:18

BSC080N03LS G 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沁道 场效应晶体管(MOSFET)。它属于 OptiMOS 系列,专为高效率开关应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于多种电力电子应用领域。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Leadless (TOLL),是一种无引脚的表面贴装封装,能够提供更优的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:81A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):0.8mΩ
  栅极电荷(典型值):45nC
  开关速度:超快恢复
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSC080N03LS G 具有非常低的导通电阻,仅为 0.8mΩ(典型值),这使其非常适合于需要最小化传导损耗的应用场景。同时,其快速的开关特性和低栅极电荷使得开关损耗也保持在较低水平。此外,该器件还具备以下特点:
  - 超低导通电阻确保高效能表现
  - 高额定电流能力,支持高达 81A 的连续漏极电流
  - 极低的栅极电荷,有助于减少开关能量损耗
  - 高温适应性,可在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内稳定工作
  - 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用
  - 无铅封装,满足环保要求

应用

BSC080N03LS G 可广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的场景中,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件
  - 电动车辆和混合动力车辆中的电机驱动控制
  - 工业自动化设备中的功率转换模块
  - 太阳能逆变器中的功率开关
  - 电信设备中的 DC/DC 转换器
  - 各类电池管理系统(BMS)中的负载开关

替代型号

BSC090N03LS G
  BSC060N03LS G

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BSC080N03LS G参数

  • 数据列表BSC080N03LS G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C53A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 15V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC080N03LSGBSC080N03LSGINTRBSC080N03LSGXTSP000275114