时间：2025/11/13 16:14:10
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TCSVS1A226MBAR是一款由TDK公司生产的表面贴装型多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于CeraLink系列，专为高频开关电源应用而设计，特别是在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率半导体电路中表现出色。这款电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），能够在高频率下提供稳定的去耦和滤波性能。其主要特点包括优异的温度稳定性、良好的机械强度以及符合RoHS环保标准。TCSVS1A226MBAR采用X7R或类似温度特性的介电材料制造，适用于需要高可靠性和高性能的工业电源、通信设备、服务器电源模块以及电动汽车充电系统等领域。
该型号命名遵循TDK的标准编码规则：TC代表TDK Corporation，S表示表面贴装，V可能指特定产品子系列或尺寸代码，S1A为尺寸代码（如0805或1210封装），226表示标称电容值为22μF（即22×10?pF），M代表电容公差±20%，B为电压等级代码（额定电压100V DC），AR通常表示编带包装形式。整体设计注重在有限空间内实现大容量储能与快速瞬态响应能力，满足现代高密度电子系统对小型化和高效能的双重需求。
电容值：22μF
容差：±20%
额定电压：100V DC
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
封装尺寸：1210（3225公制）
长度：3.2mm
宽度：2.5mm
高度：≤1.6mm
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R×C ≥ 500Ω·F
ESR（等效串联电阻）：典型值低于10mΩ（具体取决于频率）
ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用
直流偏压特性：在100V偏压下仍可保持较高有效电容比例
老化率：≤2.5%每1000小时（室温）
TCSVS1A226MBAR具备出色的高频去耦能力和低阻抗特性，这使其在高频开关电源中能够有效抑制电压波动和噪声干扰。由于采用了先进的多层陶瓷结构和优化的内部电极设计，该电容器在宽频率范围内表现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而显著减少功率损耗并提升系统效率。这种低阻抗特性对于使用宽禁带半导体如GaN和SiC的电路尤为重要，因为这些器件工作在数百kHz甚至MHz级别的开关频率下，传统铝电解电容或普通MLCC难以满足动态响应要求。
此外，该电容器具有良好的直流偏压稳定性，在接近额定电压的工作条件下仍能维持较高的有效电容值，确保电源总线上的稳定储能能力。相比同规格的传统电容，它在施加高电压时的电容衰减更小，提高了实际应用中的可用容量。同时，X7R类介质提供了较宽的工作温度范围（-55°C至+125°C），并在整个温度区间内保持电容值的相对稳定，适用于恶劣环境下的工业与汽车电子应用。
机械方面，TCSVS1A226MBAR采用坚固的陶瓷体结构，具备较强的抗热冲击和机械振动能力，适合回流焊工艺，且符合无铅焊接要求。其表面贴装封装便于自动化生产，有助于提高PCB组装效率。产品通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于对可靠性要求较高的车载电源系统。另外，该器件不含卤素，符合RoHS和REACH环保指令，支持绿色电子产品设计。整体而言，TCSVS1A226MBAR是一款面向高性能电源系统的先进陶瓷电容器，兼顾大容量、高耐压与高频响应能力。
广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中，尤其适合作为GaN和SiC功率器件的配套去耦电容。常见应用场景包括但不限于：服务器和数据中心的DC-DC转换器、48V电源架构中的中间母线电容、光伏逆变器的直流链路滤波、电动汽车车载充电机（OBC）和DC-DC变换器、工业电机驱动器中的缓冲电路、高端消费类电源适配器以及5G基站的射频电源模块。在这些系统中，TCSVS1A226MBAR用于平滑输入电压波动、吸收开关噪声、提供瞬时电流支持，并降低电源环路的阻抗，从而提升整个系统的稳定性和电磁兼容性（EMC）表现。由于其紧凑的1210封装，也适合高密度布局的PCB设计，节省宝贵的空间资源。
C3225X7R1H226M
