时间：2025/9/14 18:57:51
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PMDT670UPE,115是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）制造的高性能双N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于高效率电源管理应用。该MOSFET封装在DFN2020-6（SOT1123-6）封装中，体积小巧，适合用于空间受限的设计。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.5A
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：DFN2020-6 (SOT1123-6)
功率耗散：1.4W
PMDT670UPE,115采用了Nexperia的先进Trench MOSFET技术，提供了卓越的导通性能和热稳定性。其低RDS(on)特性有助于降低导通损耗，提高能效，同时减少散热需求，非常适合用于高密度电源设计。该器件的双N沟道结构使其能够在同步整流、负载开关或DC-DC转换器中实现高效控制。
此外，该MOSFET具备优良的热性能，能够在高环境温度下稳定工作。其封装设计支持高密度贴装，并符合RoHS环保标准。PMDT670UPE,115还具有良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低开关损耗，提高系统效率，适用于电池供电设备和便携式电子产品中的功率管理电路。
PMDT670UPE,115广泛应用于各类低电压高效率电源管理系统中，包括移动电话、平板电脑、可穿戴设备、便携式充电器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及各种电池供电设备。其高效率和小尺寸特性也使其成为工业自动化设备和消费类电子产品中理想的功率开关元件。
SI2302DS-T1-GE3, FDMC8030, BSS138K, PMDT4010PE,115
