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GA1206Y223MBABT31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:38:09 查看 阅读:22

GA1206Y223MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,能够显著降低系统功耗并提升整体性能。其封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产和紧凑型设计需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:95A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷(典型值):47nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-247

特性

GA1206Y223MBABT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
  2. 高额定电流能力,适用于大功率应用场合。
  3. 快速开关性能,支持高频操作。
  4. 出色的热稳定性,确保在极端条件下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 紧凑型设计,有助于减小整体电路板尺寸。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和适配器。
  2. DC-DC转换器和逆变器。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备的功率控制模块。
  5. 新能源汽车及充电桩相关的电力电子系统。
  6. 其他需要高效功率管理的场景。

替代型号

IRFP2907,
  STP100NF10,
  FDP55N10,
  IXTH100N10T2

GA1206Y223MBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-