时间：2025/5/7 18:13:01
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TCMI201209X100KT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，在确保高效率的同时也提供了较低的导通电阻和快速的开关速度，有助于提高系统的整体性能并降低能耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型晶体管，其设计目标是为大电流应用场景提供可靠的解决方案。它具有出色的热稳定性和电气特性，并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：10mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：ton=20ns，toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 高效的低导通电阻设计，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关速度能够显著降低开关损耗，从而提升整体效率。
3. 出色的热稳定性允许在高温环境下持续运行。
4. 强大的抗雪崩能力增强了器件的鲁棒性。
5. 小巧封装尺寸使其易于集成到紧凑型设计中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 汽车电子系统
5. 工业自动化设备
6. LED照明驱动电路
7. 电池管理与保护系统
IRFZ44N
STP90NF10
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