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SCSV-60T-3.2A 发布时间 时间:2025/10/11 8:22:32 查看 阅读:648

SCSV-60T-3.2A 是一款由韩国半导体制造商SemiSouth(现为Qorvo旗下公司)推出的高性能硅碳化物(SiC)肖特基二极管。该器件采用先进的碳化物半导体技术,专为高效率、高频率和高温工作环境设计。SiC材料具有宽禁带特性,相比传统硅基二极管,能够在更高的电压、电流和温度条件下稳定运行,同时显著降低开关损耗和导通损耗。SCSV-60T-3.2A 的额定电压为650V,最大平均正向电流可达3.2A,适用于各类要求严苛的电力电子系统。其封装形式为TO-220,具备良好的热传导性能和机械稳定性,便于安装在散热器上以实现高效散热。该器件无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0),因此在高频开关应用中可大幅减少开关应力和电磁干扰(EMI),提升整体系统效率。此外,该二极管具有极低的正向导通压降(VF),通常在1.4V左右(在3.2A时),有助于降低功率损耗,提高能源利用率。由于其优异的动态性能和可靠性,SCSV-60T-3.2A 被广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源及PFC(功率因数校正)电路等高端电力转换场景。

参数

型号:SCSV-60T-3.2A
  类型:碳化硅肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):650V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):3.2A
  最大正向电压(VF):1.4V @ 3.2A, TJ=25°C
  最大反向漏电流(IR):10μA @ 650V, TJ=25°C
  反向恢复时间(trr):典型值0ns(无反向恢复电荷)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220
  热阻(RθJC):约3.5°C/W

特性

SCSV-60T-3.2A 作为一款基于碳化硅(SiC)材料的肖特基二极管,其最显著的特性在于零反向恢复电荷与极快的开关速度。由于碳化硅材料的宽禁带结构(约3.2eV),该器件在关断过程中不会产生少数载流子积累,从而彻底消除了传统PN结二极管所存在的反向恢复现象。这一特性使得其在高频开关电源中表现出色,能够有效减少开关过程中的能量损耗和电压尖峰,降低对驱动电路的压力,并显著改善系统的电磁兼容性(EMC)表现。同时,由于没有反向恢复电流,可以避免与MOSFET或IGBT等开关器件之间的交叉导通问题,提升整体系统的可靠性与效率。
  该器件具备出色的热稳定性与高温工作能力,其最大结温可达+175°C,远高于传统硅二极管的+150°C限制。这使得它在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适用于密闭空间或自然冷却条件下的高功率密度设计。此外,较低的正向导通压降(VF)意味着在相同电流下产生的热量更少,进一步提升了能效并减少了散热需求。结合TO-220封装良好的热传导设计,该器件可在长时间满负荷运行中保持较低的温升,延长系统寿命。
  在可靠性方面,SCSV-60T-3.2A 经过严格的质量控制和老化测试,具备优异的抗浪涌能力和长期稳定性。其反向漏电流在常温下仅为10μA,在高温条件下也保持在可控范围内,确保在待机或轻载状态下功耗极低。该器件还具有较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压情况下提供一定程度的自我保护,适用于电网波动较大或负载变化频繁的应用场合。

应用

SCSV-60T-3.2A 广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子转换系统中。在功率因数校正(PFC)电路中,尤其是在连续导通模式(CCM)和临界导通模式(CrM)PFC拓扑中,该器件凭借其零反向恢复特性和低VF优势,能够显著提升转换效率,减少EMI滤波元件体积,是现代高能效电源的标准配置之一。在太阳能光伏逆变器中,该二极管可用于直流侧防反接保护或辅助电源整流,其高温耐受性和长期稳定性确保了户外恶劣环境下的可靠运行。
  在电动汽车车载充电机(OBC)和直流快充桩中,SCSV-60T-3.2A 可用于次级整流或辅助电源模块,帮助实现小型化和高效化设计。在工业开关电源(SMPS)、服务器电源和通信电源等领域,该器件同样表现出色,尤其适用于LLC谐振变换器、有源钳位反激(ACF)等高频拓扑结构,能够有效降低系统损耗,提升功率密度。此外,该器件还可用于电机驱动器中的续流路径、UPS不间断电源以及高压DC-DC转换器等应用场景,满足现代电力电子设备对节能、小型化和高可靠性的综合需求。

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