IXGK210N30PBT1 时间：2025/8/6 7:48:24 阅读：29

IXGK210N30PBT1是一款由Littelfuse公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其非常适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和汽车应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：210A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为2.9毫欧（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）
　　功率耗散（Pd）：420W

特性

IXGK210N30PBT1具有多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，确保了良好的热稳定性和高效的电流传输能力。此外，其高电流承载能力（高达210A）使其适用于需要大电流负载的应用场景，如电动车辆的功率转换系统或高功率电源模块。
　　该器件还具有良好的热管理特性，能够在高温环境下稳定运行，且其TO-263封装形式支持表面贴装（SMD），提高了PCB设计的灵活性和可靠性。此外，IXGK210N30PBT1的栅极驱动要求相对较低，可在10V左右实现完全导通，这使得其与标准MOSFET驱动器兼容，简化了电路设计。
　　该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的过载电流而不损坏，从而提高系统的可靠性和耐用性。其高dv/dt抗扰能力也增强了其在高频率开关应用中的稳定性。

应用

IXGK210N30PBT1广泛应用于多种高功率电子系统中，例如工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及电动汽车的功率管理系统。由于其高耐压和大电流特性，它也常用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及高频电源开关电路。此外，该器件在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载DC-DC变换器中也具有广泛的应用前景。