时间：2025/9/2 17:07:40
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JX2N870 是一款由国产厂商设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器等功率电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于中高功率应用场景。JX2N870属于N沟道增强型MOSFET，具有较高的电流承载能力和快速的开关特性，适用于各种功率开关和负载控制场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：最大60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：连续最大160A（在25°C下）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.8mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：最大300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-264或类似大功率封装
栅极电荷（Qg）：约120nC（典型值）
输入电容（Ciss）：约2500pF
JX2N870 具备优异的导通和开关性能，适用于高效率功率转换系统。其低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有良好的热稳定性和更高的电流密度，适用于高功率密度设计。此外，JX2N870具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发性高电压冲击下保持稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。
该MOSFET的封装形式采用TO-264等大功率封装，具备良好的散热性能，适用于高电流和高温环境下长期稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V~20V），可与多种驱动电路兼容，便于系统设计和集成。
此外，JX2N870具备较低的开关损耗，适合高频开关应用，如DC-DC变换器、同步整流器和电机驱动电路。其优异的动态特性使得该器件能够在高频率下保持高效运行，减少功率损耗和发热问题。
JX2N870 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备以及各类高功率开关电路中。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能功率开关的理想选择。
SiHF60N100TD-S，IPW60R028C7，STP150N6F6AG
