类型：功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：50A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：约7.9mΩ（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：H8（双排水平封装）
　　技术：Trench MOSFET 技术

TCCS50E1H105M7980 采用了东芝先进的Trench MOSFET技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高耐压能力（100V）使其适用于中高功率应用，例如工业电源、服务器电源、电动车充电器等。其H8封装提供了良好的热管理性能，能够在高电流条件下保持较低的温升，确保长期稳定运行。
　　此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。栅极驱动电压范围宽（±20V），允许使用标准驱动电路，兼容多种控制器和驱动IC。其高电流容量（50A）和快速开关特性，使其适用于高频开关应用，有助于减小外围电感和电容的体积，提升整体系统功率密度。
　　该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），减少了开关损耗，提高了系统的动态响应速度。适用于同步整流、负载开关、马达控制等多种高要求的应用场景。

TCCS50E1H105M7980 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电动工具、电动车充电系统、工业自动化设备、服务器电源模块、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、马达驱动器等。其低Rds(on)和高电流能力也使其成为同步整流电路中的理想选择，尤其在需要高效率和紧凑设计的场合。

TKA50E100W5AQ, TCCS50E100M7980, TCCS40E1H105M7980