时间：2025/6/18 20:40:23
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GA0805H392JBBBT31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的高精度、低功耗的MOSFET功率晶体管。该元器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能功率管理的场景。其采用TO-263-3L封装形式，适合表面贴装工艺，具有优良的热性能和电气性能。
型号：GA0805H392JBBBT31G
封装：TO-263-3L
额定电压：80V
额定电流：47A
Rds(on)：3.5mΩ（典型值，25℃时测量）
栅极电荷：10nC（最大值）
输入电容：1140pF（典型值）
总功耗：150W（最大值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
GA0805H392JBBBT31G 具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低传导损耗和开关损耗。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了在高频应用中的卓越性能。
此外，它具备较高的雪崩耐量能力，能够在过载条件下提供可靠的保护功能。
其紧凑的封装设计也使其易于集成到各种功率电子设备中。
由于其低热阻和高散热性能，该器件非常适合用于要求严格的工作环境。
GA0805H392JBBBT31G 广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子领域。
常见的应用场景包括但不限于以下几种：
- 开关电源(SMPS)模块中的主开关管或同步整流管。
- DC-DC转换器中的功率级开关元件。
- 电机驱动电路中的逆变器桥臂开关。
- LED驱动电路中的功率调节器件。
凭借其高性能表现，该元器件成为许多现代电子系统中的关键组件。
GA0805H392JBBBT31, GA0805H392JBBL31G
