类型：N沟道
　　最大漏极电流（Id）：150A
　　最大漏极-源极电压（Vds）：30V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（Pd）：160W

2SK367701MR具有多项优势，使其成为高性能功率应用的理想选择。
　　首先，该MOSFET采用东芝的U-MOS VIII-H技术制造，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。在Vgs为10V时，典型Rds(on)仅为5.3mΩ，使得在高电流应用中仍能保持较低的温升。
　　其次，该器件的最大漏极电流可达150A，具备出色的电流承载能力，适用于高功率密度设计。此外，漏极-源极电压额定值为30V，适用于大多数中低电压功率转换系统。
　　再者，2SK367701MR的封装形式为TO-263（D2PAK），这是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在自动化生产线中使用。同时，该封装也有助于简化PCB布局并提高系统的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，适用于多种栅极驱动器设计。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的开关频率和效率。
　　此外，2SK367701MR还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，可在恶劣的电气环境中稳定工作，确保系统长时间运行的可靠性。

2SK367701MR广泛应用于多种功率电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效能的电压转换；在同步整流电路中，其低Rds(on)特性可显著减少功率损耗，提高转换效率。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动器和负载开关，其高电流承载能力和快速开关特性使其能够满足高动态响应的需求。在电池管理系统（BMS）中，2SK367701MR可用于充放电控制开关，确保电池组的安全运行。
　　另外，该器件还可用于电源管理模块、服务器电源、通信设备电源、LED驱动电源以及工业自动化控制设备中，为各种高功率需求的应用提供可靠的解决方案。

SiHF150N03LT、IRF150N30LPBF、FDMS86180、IPB015N03LG、FDMS86180