TCC1206COG2R2C500DT 是一款陶瓷电容器,采用 C0G(NP0)介质材料。该型号具有高稳定性和低温度系数特性,适用于需要高频率和高稳定性的电路设计。其封装形式为片式多层陶瓷电容器(MLCC),广泛用于滤波、耦合、旁路等场景。
电容值:2.2pF
额定电压:50V
公差:±5%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:1206英寸
介质材料:C0G(NP0)
封装类型:表面贴装(SMD)
TCC1206COG2R2C500DT 具有出色的温度稳定性,其温度系数接近零(通常小于 ±30ppm/℃),确保在宽温度范围内电容量的稳定表现。
由于采用了 C0G 介质材料,该电容器表现出极低的介质损耗和高 Q 值,非常适合高频应用。
此外,其表面贴装设计使其易于自动化生产,提高了装配效率和可靠性。
该型号还具有良好的抗机械应力性能,能够在恶劣环境下保持长期稳定性。
这款电容器常用于射频(RF)和无线通信领域,例如滤波器、振荡器、混频器等高频电路中。
同时,它也可用作信号耦合或解耦电容器,在音频设备、数据转换器和其他精密模拟电路中发挥重要作用。
此外,由于其高稳定性和低温度漂移特性,TCC1206COG2R2C500DT 还适合时钟电路和晶体振荡器等对稳定性要求较高的应用场景。
TCC1206NP02R2C500DT
GRM188R60J2R2
KMC1206C2R2JJ500