时间：2025/5/14 16:42:09
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LBAS40-04LT1G 是一款基于砷化镓（GaAs）工艺制造的高频率开关二极管，广泛应用于射频和微波电路中。该器件以其低电容、快速恢复特性和高可靠性著称，适用于需要高频切换和低信号失真的场景。它主要被设计用于无线通信系统、雷达设备以及测试测量仪器等高性能应用领域。
该型号属于肖特基二极管家族，其独特的结构确保了其在高频环境下表现出色，并且能够提供低插入损耗和高隔离度。
类型：肖特基二极管
最大正向电流：40mA
反向电压：4V
结电容：0.15pF
工作频率范围：DC 至 40GHz
封装形式：SOT-323
正向电压降：0.3V（典型值，@If=20mA）
反向漏电流：≤1μA（@25°C）
LBAS40-04LT1G 的主要特性包括以下几点：
1. 超低结电容，使其非常适合高频应用；
2. 快速开关速度，确保了高效的信号切换性能；
3. 高频率支持能力，可以覆盖从直流到高达40GHz的应用范围；
4. 稳定性好，在宽温度范围内仍能保持良好的电气特性；
5. 小型化的SOT-323封装有助于节省PCB空间并简化布局设计。
LBAS40-04LT1G 主要应用于以下领域：
1. 射频和微波开关电路；
2. 高速数据通信中的信号路径选择；
3. 测试与测量设备中的高频信号处理；
4. 雷达接收机前端的保护与控制；
5. 卫星通信系统中的信号切换与隔离；
6. 移动通信基站中的功率分配与组合网络。
LBAS40-02LT1G
LBAS40-06LT1G
BAS40-04LT1G
