L2SC4618TT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频率、低噪声放大应用,广泛应用于射频(RF)和通信系统中。该晶体管采用SOT-23封装,具有小尺寸、高性能和高可靠性,适用于便携式设备、无线通信模块以及低噪声放大器电路。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗:300mW
过渡频率(fT):250MHz
电流增益带宽积:250MHz
噪声系数:0.6dB(典型值,1GHz)
工作温度范围:-55°C至150°C
L2SC4618TT1G 拥有优异的低噪声性能,特别适用于射频前端放大器设计。其噪声系数在1GHz频率下仅为0.6dB,使得该器件在高频通信系统中表现突出。此外,该晶体管具有较高的过渡频率(fT)达250MHz,确保其在高频环境下仍能保持良好的放大性能。L2SC4618TT1G 采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
该晶体管的电流增益(hFE)在不同工作电流下保持稳定,有助于提高电路设计的灵活性。其最大集电极电流为100mA,集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30V,具备较高的电压耐受能力,适用于多种低功率放大应用场景。此外,L2SC4618TT1G 的功耗控制在300mW以内,适合低功耗系统设计。
该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,满足现代电子制造对环保材料的要求。在工作温度范围上,L2SC4618TT1G 可在-55°C至150°C之间稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
L2SC4618TT1G 主要用于射频和微波通信系统中的低噪声放大器(LNA)设计,广泛应用于无线通信模块、卫星接收器、射频识别(RFID)设备、测试仪器和便携式电子产品中。由于其低噪声系数和高频率响应特性,它也适用于高频信号放大和前级放大器应用。此外,该晶体管在汽车电子中的无线通信模块、传感器信号放大电路中也有广泛应用。
BFQ56, BFG21, 2SC3355