型号：RM200DA-20F
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：IGBT模块（双管）
　　集电极-发射极电压（Vces）：1200V
　　集电极电流（Ic）@25°C：200A
　　集电极峰值电流（Icp）：400A
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　模块配置：半桥/双单管可配置
　　反并联二极管：内置
　　典型应用频率：≤20kHz
　　封装形式：双面散热模块或平板式封装（具体以数据手册为准）
　　绝缘耐压：≥2500VAC（1分钟）

RM200DA-20F具备优异的电气和热性能，其核心优势在于高电压耐受能力和大电流承载能力，能够满足严苛工业环境下的长期稳定运行需求。该模块采用先进的沟槽栅场截止型（Trench Gate Field-Stop）IGBT技术，显著降低了导通压降（Vce(sat)），从而减少了导通损耗，提升了能量转换效率。同时，其开关特性经过优化，在保证快速开关速度的同时有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），有利于提高系统EMC性能。模块内部两个IGBT单元之间具有良好的匹配性，确保在半桥拓扑中实现对称的动态响应，减少不平衡应力带来的风险。内置的快速恢复二极管具有低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，进一步降低换流过程中的损耗和振荡问题。
　　在热管理方面，RM200DA-20F采用低热阻封装结构，支持双面散热或底板直接冷却方式，极大提升了散热效率，使得模块可以在高负载条件下持续工作而不发生过热失效。模块外壳采用陶瓷基板和金属底板结合的结构，提供优良的机械强度和长期可靠性，适用于振动频繁或温变剧烈的工业现场。此外，该模块符合国际安规标准，具备高绝缘强度，保障操作人员和设备的安全。所有引出端子均经过防腐处理，增强了在潮湿、粉尘等恶劣环境下的耐久性。得益于模块化设计，用户无需自行组装多个分立器件，避免了布局不一致和焊接缺陷等问题，提高了生产一致性和维护便利性。整体而言，RM200DA-20F是一款面向高端工业功率变换领域的高性能IGBT模块，兼顾效率、可靠性和易用性。

RM200DA-20F广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其适用于需要高效、高可靠性的逆变与变频控制场合。典型应用包括工业电机驱动系统，如交流伺服驱动器、变频器和大型泵类设备控制系统，其高电流输出能力和快速响应特性可满足电机启动、调速和制动等多种工况需求。在可再生能源领域，该模块常用于光伏逆变器和风力发电变流器中，作为DC-AC转换的核心开关元件，帮助实现太阳能或风能到电网的高效并网。此外，它也被大量应用于不间断电源（UPS）系统，特别是在在线式UPS的逆变级中，承担直流母线到交流输出的关键能量转换任务，确保负载供电的连续性和稳定性。
　　在电焊机设备中，RM200DA-20F可用于构建高频逆变焊接电源，凭借其高频开关能力和低损耗特性，显著缩小变压器和滤波元件体积，提升整机效率和便携性。该模块还可用于感应加热、电磁炉、等离子切割等大功率加热设备中，实现精确的功率调节和快速的动态响应。在轨道交通和电动汽车充电基础设施中，虽然主牵引系统多采用更高规格的模块，但RM200DA-20F仍可用于辅助电源、车载充电机或中小型充电桩的功率级设计。此外，由于其良好的抗冲击电流能力和宽温度工作范围，也适用于各种工业电源、高压直流电源模块以及实验用大功率测试平台。总之，RM200DA-20F凭借其强大的性能和灵活的配置，成为众多工业电力变换系统的理想选择。

SKM200GB12T4
　　FF200R12KE3
　　CM200DY-24A