型号：TC3-1T+
　　制造商：Mini-Circuits
　　封装类型：Surface Mount (SMD)
　　尺寸：1.65 mm × 1.65 mm × 0.6 mm
　　阻抗比：1:1
　　标称阻抗：50 Ω
　　频率范围：0.1 MHz 至 1000 MHz
　　插入损耗：≤ 0.8 dB（典型值，500 MHz）
　　回波损耗：≥ 14 dB（典型值，200 MHz）
　　幅度不平衡度：≤ 0.5 dB
　　相位不平衡度：≤ 5°
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　耐压：500 V RMS（绕组间）
　　直流电阻（DCR）：< 0.5 Ω
　　最大功率容量：1 W（连续波）
　　安装方式：回流焊
　　环保标准：符合RoHS，无卤素

TC3-1T+ 射频变压器在高频信号处理领域表现出卓越的电气性能和稳定性。其核心优势在于采用了先进的传输线结构设计，这种结构不同于传统磁芯电感式变压器，而是利用精确控制的微带线或带状线实现宽带匹配，从而在从低频100 kHz到高达1 GHz的宽频带内保持一致的阻抗变换能力和信号完整性。该器件在50欧姆系统中能够实现极低的插入损耗（典型值低于0.8 dB），这意味着大部分输入信号能量可以有效传递至输出端，减少了不必要的功率损耗，对于提升接收灵敏度或降低发射链路功耗具有重要意义。
　　另一个显著特点是其出色的回波损耗性能，在典型工作频率如200 MHz下可达到14 dB以上，表明该器件与周围电路之间的阻抗匹配良好，显著降低了信号反射引起的驻波比问题，有助于提高系统的整体稳定性与动态范围。此外，TC3-1T+ 提供了优异的幅度和相位平衡能力，幅度不平衡度小于0.5 dB，相位偏差不超过5度，这对于需要高度对称信号路径的应用（如平衡混频器或推挽放大器）至关重要，能有效抑制偶次谐波并改善共模噪声抑制能力。
　　该器件还具备较高的功率承受能力，最大可持续承载1瓦的射频功率，适用于中等功率级别的发射模块接口。其内部结构具有良好的绝缘强度，绕组间可承受500 V RMS电压，确保在存在直流偏置或高压瞬态情况下仍能安全运行。由于采用陶瓷基板和表面贴装封装，TC3-1T+ 具备优良的热传导性能和机械坚固性，能够在恶劣环境条件下长期稳定工作。此外，该器件支持自动贴片生产流程，兼容标准SMT工艺，提升了制造效率和产品一致性。总体而言，TC3-1T+ 是一款集宽带、低损耗、高可靠性于一体的高性能射频变压器，适用于对信号质量要求严苛的现代通信系统设计。

TC3-1T+ 广泛应用于各类高频电子系统中，尤其适用于需要宽带阻抗匹配和信号隔离的场景。常见应用包括无线通信基站的射频前端模块，其中用作滤波器与放大器之间的接口元件，以优化信号传输效率并减少反射干扰。在软件定义无线电（SDR）和宽带接收机中，该器件常被用于中频（IF）信号路径中，实现信号耦合与直流阻断功能，同时维持良好的幅度和相位一致性。此外，TC3-1T+ 也广泛用于混频器电路中，作为本振（LO）或射频（RF）端口的匹配网络组件，帮助提升端口隔离度和转换增益。在测试与测量仪器如频谱分析仪、网络分析仪中，该变压器因其稳定的宽带响应特性而被用于校准路径或信号分配网络。其他应用场景还包括有线电视（CATV）设备、雷达系统、物联网网关、卫星通信终端以及各种工业、科学和医疗（ISM）频段设备。由于其小型化设计和高可靠性，TC3-1T+ 特别适合空间受限且要求高性能的便携式或嵌入式无线模块。

TC1-1T+
　　ADT1-1WT+
　　MMT-1-1T