TA2150FN 时间：2025/6/14 16:07:05 阅读：5

TA2150FN是东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于需要高效率开关的场合，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能和可靠性。

参数

型号：TA2150FN
　　类型：N沟道增强型功率MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：14A
　　脉冲漏极电流(IDM)：56A
　　导通电阻(RDS(on))：0.09Ω（典型值，VGS=10V时）
　　总功耗(PD)：130W
　　工作结温范围(TJ)：-55℃至+175℃
　　存储温度范围(TSTG)：-55℃至+150℃

特性

TA2150FN采用了先进的制造工艺，使其具备以下特性：
　　1. 高效低导通电阻：RDS(on)仅为0.09Ω（在VGS=10V时），可以显著降低导通损耗。
　　2. 快速开关速度：优化的结构设计使开关时间更短，提高了工作效率。
　　3. 良好的热稳定性：由于采用了TO-220封装，能够有效地将热量散发到周围环境。
　　4. 高可靠性：通过了严格的测试与验证流程，确保长期使用中的稳定性和可靠性。
　　5. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+175℃的工作结温，适应多种恶劣环境条件。

应用

TA2150FN适用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关电源(SMPS)：作为主功率开关管，在AC-DC或DC-DC变换中提供高效的能量传递。
　　2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。
　　3. 负载开关：快速切换负载电路的开闭状态。
　　4. 电池保护：防止过流、短路等情况对电池造成损害。
　　5. 各类工业自动化控制系统中的功率开关组件。