TBKC621203DH 时间：2025/8/7 0:15:12 阅读：37

TBKC621203DH 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率和高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于诸如电源转换、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等高可靠性应用场景。TBKC621203DH采用TO-263（D2PAK）封装，具有良好的热管理和散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：120V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：480A
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

TBKC621203DH 采用东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通损耗并提高了开关性能。该器件的低Rds(on)值使其在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有出色的热稳定性，能够在高功率密度环境下稳定运行。
　　在电气特性方面，TBKC621203DH 具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽广（通常为4.5V至10V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的功率系统中。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，确保在异常工作条件下仍能保持一定的稳定性。TO-263（D2PAK）封装结构提供了良好的热传导性能，可有效降低结温，延长器件使用寿命。

应用

TBKC621203DH 主要用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电系统、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高可靠性和良好的热管理能力，该器件也适用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电动车辆（EV）中的功率管理系统。
　　在电机控制应用中，TBKC621203DH 可用于H桥结构，实现电机的双向控制，适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动。在电源管理领域，该器件常用于同步整流拓扑结构，提高电源转换效率，适用于笔记本电脑电源适配器、服务器电源系统等高能效要求的应用场景。