MST8016B 时间：2025/8/18 22:02:20 阅读：25

MST8016B是一款由晶豪科技（ESMT）制造的低功耗、高性能的16Mbit（1M x 16）静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造，具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特性，适用于需要高性能数据存储的各种应用场合。MST8016B的封装形式多样，包括常见的TSOP和SOJ等，方便在不同电路设计中使用。

参数

容量：16Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns、70ns、10ns等可选
　　封装类型：TSOP、SOJ
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口
　　读取电流：最大180mA（典型值）
　　待机电流：最大10mA
　　封装引脚数：54-pin TSOP、48-pin SOJ等
　　数据保持电压：1.5V以上

特性

MST8016B采用了高性能的CMOS工艺，能够在低电压条件下保持良好的读写性能。该芯片支持异步操作，适用于需要高速数据访问的应用场景。其高速访问时间可低至55ns，使得它在高性能系统中表现优异。此外，MST8016B具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长便携式设备的电池寿命。该器件还具备宽电压工作范围，适应2.3V到3.6V之间的电源供应，增强了系统的兼容性和灵活性。MST8016B具有数据保持功能，在电源电压降至1.5V以上时仍能保持存储数据不丢失，适用于需要在低功耗状态下维持数据完整性的应用。其封装形式多样，适合用于不同的电路板设计和应用需求。

应用

MST8016B广泛应用于需要大容量SRAM存储器的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备、通信模块、医疗仪器以及汽车电子等领域。由于其高速和低功耗特性，特别适合用于缓存存储器、数据缓冲、图形处理、图像存储等高性能数据处理场合。该芯片也适用于需要长时间数据保持的系统，例如在断电或低功耗模式下仍需保留关键数据的场景。