时间：2025/10/29 8:59:58
阅读：19
MR27C64-25/B是一款由Magnachip生产的64Kbit（8K x 8）的CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM），广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。该芯片采用标准的DIP28、PDIP28或PLCC32封装形式，具有良好的可靠性和稳定性，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及老旧计算机系统的固件存储场景。MR27C64-25/B通过紫外线照射芯片顶部的石英窗口可实现全片内容的擦除，之后可重新编程，支持多次重复使用，是开发和调试阶段的理想选择。该器件的工作电压为5V，兼容TTL电平，能够直接与大多数微控制器和微处理器接口无缝连接。其命名规则中，'MR27C64'表示为64K位CMOS EPROM，'-25'代表最大访问时间250ns，满足中高速应用需求，'/B'通常表示芯片的输出使能极性或其他特定版本标识。由于其成熟的设计和长期的市场供应，MR27C64-25/B在许多传统设备中仍有广泛应用，尽管在新型设计中逐渐被更先进的闪存技术所取代，但在维护和替换老旧系统时仍具重要价值。
类型：UV-EPROM
容量：64 Kbit (8K × 8)
工作电压：5V ±10%
访问时间：250 ns
封装形式：DIP28, PDIP28, PLCC32
工作温度范围：0°C 至 +70°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
编程电压：VPP = 12.5V 或 21V（依具体规格）
输入/输出电平：TTL 兼容
待机电流：典型值 100 μA
工作电流：典型值 35 mA
擦除方式：紫外线擦除（约15-20分钟，波长253.7nm）
编程方法：通过专用编程器进行字节编程
MR27C64-25/B具备出色的非易失性数据保持能力，能够在断电情况下长期保存程序代码，典型数据保持时间超过10年。其250ns的访问速度适用于中等频率的微处理器系统，确保指令执行的稳定性和响应速度。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造，在待机模式下电流消耗极低，有助于降低系统整体功耗，尤其适合对能耗敏感的应用场景。器件内部结构为8K字节组织形式，地址总线为13位（A0-A12），数据总线为8位（D0-D7），控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和编程脉冲（PGM），部分型号还需提供高压编程电压（VPP）。
该EPROM支持标准的编程算法，可通过通用编程器进行烧录，编程电压通常为12.5V或21V，具体取决于制造商的技术规范。紫外线擦除功能允许用户在开发过程中反复修改固件内容，极大提升了调试效率。芯片顶部设有透明石英窗口，便于紫外线穿透以清除浮栅晶体管中的电荷，实现芯片内容的完全重置。为防止意外曝光导致数据丢失，建议在正常使用时用不透明标签覆盖窗口。
MR27C64-25/B具有良好的抗干扰能力和温度稳定性，能够在工业级环境条件下可靠运行。所有引脚均符合标准EPROM引脚定义，与市场上主流的27C64系列器件引脚兼容，便于直接替换或升级。此外，该器件在抗静电（ESD）保护方面也做了优化设计，提高了在生产和使用过程中的可靠性。虽然现代系统更多采用无需窗口的Flash存储器，但MR27C64-25/B因其可重复擦写特性和高可靠性，仍在教育实验、原型开发和工业维修领域保持一定的市场需求。
MR27C64-25/B广泛应用于各类需要固化程序代码且不频繁更新的电子系统中。常见用途包括工业自动化控制器的固件存储，如PLC模块、数控设备和继电器逻辑单元。在通信设备中，该芯片用于存储初始化代码、通信协议栈或配置参数，例如调制解调器、交换机控制板和远程终端单元。消费类电子产品如老式家用电器控制器、电子玩具、音响设备的微控程序也常采用此类EPROM进行存储。
在计算机外围设备领域，MR27C64-25/B曾被用于打印机、键盘控制器、显示适配器的BIOS或微码存储。教育和科研机构利用其可擦写特性作为教学实验平台，帮助学生理解存储器工作原理和嵌入式系统开发流程。此外，在军事和航空航天的老旧系统维护中，该型号因其长期供货记录和稳定性，仍被用于备件替换。
由于其支持多次擦写和高温存储能力，该芯片也适用于需要在极端环境下长期运行的设备，如工业传感器节点、远程监控终端和测试仪器。尽管当前趋势是向串行Flash和EEPROM迁移，但在无法使用在线编程或需要高抗干扰能力的场合，MR27C64-25/B依然具备不可替代的优势。
27C64B
AT27C64
MBM27C64
SST39SF010A
