时间：2025/5/10 19:19:30
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DMP2004WK是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。这种MOSFET通常用于电源管理、电机驱动、负载开关等应用领域，能够有效提高效率并降低功耗。
其封装形式为SOT-23，体积小巧，非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：2.5nC
总电容：28pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
DMP2004WK具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升整体效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用环境。
3. 小巧的SOT-23封装，便于在紧凑型电路板上使用。
4. 优秀的热稳定性，确保在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 可靠的电气性能和长使用寿命，适合多种工业及消费类电子设备。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
2. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑中的负载开关。
3. 便携式设备电池管理系统的保护电路。
4. 电机驱动和控制电路，提供高效的功率传输。
5. LED照明系统中的调光和驱动功能。
6. 各种低压、大电流的应用场合。
DMN2005UKQ, FDN327P, BSS138
