TA25DU25 时间：2025/12/28 21:21:37 阅读：10

TA25DU25是一款功率MOSFET晶体管，广泛用于高功率和高频应用中。该器件采用先进的硅技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。TA25DU25适用于多种电子设备中的开关和功率放大应用，具有良好的性能和可靠性。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4V
　　最大功耗（Ptot）：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

TA25DU25是一款N沟道增强型功率MOSFET，具备优异的电气性能和热管理能力。其主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率；高耐压能力使其适用于中高功率应用；封装形式采用TO-252（DPAK），便于安装和散热；同时具备快速开关特性，适合高频操作环境。该器件还具有较高的抗雪崩能力，确保在高压瞬态条件下仍能稳定工作。
　　此外，TA25DU25的栅极驱动要求较低，兼容标准逻辑驱动电路，降低了外围电路设计的复杂度。其稳定的工作特性和广泛的温度适应性，使其在各种工业控制、电源转换、电机驱动和消费类电子设备中表现出色。由于其优异的热稳定性，TA25DU25在长时间高负载运行条件下仍能保持良好的性能，延长了设备的使用寿命并提高了系统可靠性。

应用

TA25DU25广泛应用于各种高功率和高频电子设备中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统以及消费类电子产品中的功率管理模块。由于其具备良好的耐压能力和高效的导通性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统中。