C3M0030090K是一款由Wolfspeed(原Cree)生产的SiC(碳化硅)功率MOSFET,适用于高功率密度和高效率的电力电子应用。这款器件采用第三代碳化硅技术,提供低导通电阻和快速开关性能,适合用于电动汽车、太阳能逆变器、工业电源和电机驱动等领域。
类型:N沟道SiC MOSFET
漏源电压(Vds):900V
连续漏极电流(Id):80A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):30mΩ
封装类型:TO-247
栅极电荷(Qg):67nC
工作温度范围:-55°C至150°C
C3M0030090K具有出色的导通和开关性能,使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为30mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件还具备快速的开关速度,有助于减小功率转换器的体积和重量。此外,C3M0030090K采用了碳化硅材料,具有更高的热导率和耐温能力,使其在高温环境下仍能稳定运行。其封装形式为TO-247,便于散热和安装,适用于多种高功率电路设计。
此外,C3M0030090K还具有良好的短路耐受能力,可以在短时间内承受较高的电流冲击,而不影响器件的可靠性。这种特性使其在电机驱动和变频器等应用中特别有用,能够有效应对突发的负载变化。此外,该器件的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,提高整体系统的能效。最后,C3M0030090K的高可靠性设计确保了在恶劣工作环境下的长期稳定运行,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
C3M0030090K广泛应用于电动汽车的OBC(车载充电器)、DC-DC转换器、太阳能逆变器、工业电源、电机驱动和储能系统等高功率领域。由于其出色的导通和开关性能,该器件能够有效提高系统的整体效率和可靠性,同时减小设备的体积和重量。此外,C3M0030090K的高耐温能力使其在高温环境下也能稳定运行,适用于对散热要求较高的应用场景。
C3M0040120K, C2M0035120K, SCT3045KL