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C3M0030090K 发布时间 时间:2025/9/11 7:23:23 查看 阅读:64

C3M0030090K是一款由Wolfspeed(原Cree)生产的SiC(碳化硅)功率MOSFET,适用于高功率密度和高效率的电力电子应用。这款器件采用第三代碳化硅技术,提供低导通电阻和快速开关性能,适合用于电动汽车、太阳能逆变器、工业电源和电机驱动等领域。

参数

类型:N沟道SiC MOSFET
  漏源电压(Vds):900V
  连续漏极电流(Id):80A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ
  封装类型:TO-247
  栅极电荷(Qg):67nC
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

C3M0030090K具有出色的导通和开关性能,使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为30mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件还具备快速的开关速度,有助于减小功率转换器的体积和重量。此外,C3M0030090K采用了碳化硅材料,具有更高的热导率和耐温能力,使其在高温环境下仍能稳定运行。其封装形式为TO-247,便于散热和安装,适用于多种高功率电路设计。
  此外,C3M0030090K还具有良好的短路耐受能力,可以在短时间内承受较高的电流冲击,而不影响器件的可靠性。这种特性使其在电机驱动和变频器等应用中特别有用,能够有效应对突发的负载变化。此外,该器件的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,提高整体系统的能效。最后,C3M0030090K的高可靠性设计确保了在恶劣工作环境下的长期稳定运行,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。

应用

C3M0030090K广泛应用于电动汽车的OBC(车载充电器)、DC-DC转换器、太阳能逆变器、工业电源、电机驱动和储能系统等高功率领域。由于其出色的导通和开关性能,该器件能够有效提高系统的整体效率和可靠性,同时减小设备的体积和重量。此外,C3M0030090K的高耐温能力使其在高温环境下也能稳定运行,适用于对散热要求较高的应用场景。

替代型号

C3M0040120K, C2M0035120K, SCT3045KL

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C3M0030090K参数

  • 现有数量5,389现货
  • 价格1 : ¥313.07000管件
  • 系列C3M?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)900 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)73A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)39 毫欧 @ 35A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 11mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)74 nC @ 15 V
  • Vgs(最大值)+15V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1503 pF @ 600 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)240W(Tc)
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4