IXTP42N15T 时间：2025/8/6 12:39:25 阅读：11

IXTP42N15T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统设计，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和消费类电子应用。IXTP42N15T 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优良的热性能。该器件封装为 TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：42 A（在 Tc=100℃）
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.024 Ω，最大值 0.030 Ω（在 Vgs=10 V）
　　功耗（Ptot）：160 W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

IXTP42N15T 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其最大 Rds(on) 仅为 0.030 Ω，并在 Vgs = 10 V 时工作，这使得该器件适合用于高电流应用，如电源转换器和电机驱动器。
　　该 MOSFET 具有较高的连续漏极电流能力（42 A），在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，其额定漏源电压为 150 V，能够满足多种中高压应用的需求，如工业电源和照明系统。
　　器件的栅极驱动电压范围为 ±20 V，具有良好的栅极氧化层可靠性，同时支持快速开关操作，从而降低开关损耗。其 TO-220 封装形式具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装，并在高功率应用中有效散热。
　　IXTP42N15T 的热阻（Rth）较低，确保在高功率操作下仍能保持较低的工作温度。此外，它具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性，防止因电压尖峰而损坏。
　　这款 MOSFET 在设计上优化了开关性能和导通损耗之间的平衡，使其适用于多种高频率开关应用。其耐用性和热稳定性也使其成为工业和汽车电子应用中的理想选择。

应用

IXTP42N15T 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、LED 照明驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理方案。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电机驱动器。