T85HF60 时间：2025/12/26 20:24:30 阅读：19

T85HF60是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压、高速N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及照明镇流器等高效率功率转换场景。该器件采用先进的平面条纹式场截止技术制造，具备优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) × Qg），在保证低开关损耗的同时实现较高的电流承载能力。T85HF60的最大漏源电压（VDS）为600V，能够承受高压环境下的稳定运行，适用于连接交流电网的离线式电源系统。其封装形式为TO-220FP或类似的通孔安装封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性，便于在工业级环境中进行散热设计与装配集成。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高抗雪崩能力和优秀的dv/dt抑制能力，提升了系统在瞬态过压或负载突变情况下的可靠性。

参数

型号：T85HF60
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：600V
　　漏极电流ID（连续）：8.5A @ 100°C
　　漏极电流ID（脉冲）：34A
　　导通电阻Rds(on)：max 1.05Ω @ VGS=10V, ID=4.25A
　　栅极阈值电压VGS(th)：min 3V, max 5V @ ID=250μA
　　输入电容Ciss：典型值 1100pF @ VDS=25V
　　输出电容Coss：典型值 190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间trr：典型值 45ns
　　最大功耗Ptot：125W @ Tc=25°C
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

T85HF60具备多项关键电气与物理特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。首先，其600V的高击穿电压确保了在各种离线式电源拓扑结构（如反激、正激、LLC谐振转换器）中的安全运行，尤其适合用于全球通用输入电压范围（85–265V AC）的电源适配器和充电器设计。其次，该器件具有较低的导通电阻Rds(on)，典型值低于1.05Ω，在额定工作条件下可显著降低导通损耗，提高整体能效，有助于满足日益严格的能源之星和CoC Tier 2能效标准。
　　另一个重要特性是其优化的开关性能。T85HF60在设计上平衡了栅极电荷Qg与输出电容Coss之间的关系，使得在高频开关操作下仍能保持较低的驱动损耗和开关损耗。这对于提升SMPS的工作频率、减小磁性元件体积具有重要意义。同时，该器件表现出良好的抗雪崩能量能力（EAS），能够在突发短路或电感反冲等异常工况下吸收一定的能量而不致损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　热性能方面，T85HF60采用TO-220FP封装，具有较大的铜片面积以增强散热能力，结到外壳的热阻Rth(j-c)约为1°C/W，配合适当的散热片使用时可有效控制工作温度。此外，该器件对dv/dt噪声具有较强的耐受性，减少了误触发的风险，提升了在高噪声工业环境中的稳定性。最后，T85HF60还具备快速体二极管反向恢复特性（trr ≈ 45ns），这在某些需要续流功能的应用中（如桥式电路）可以减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。综合这些特性，T85HF60不仅性能可靠，而且易于设计导入，适合多种中高端功率电子设备的开发需求。

应用

T85HF60主要应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC适配器、开放式框架电源和嵌入式电源模块中作为主开关管使用。它也广泛用于LED照明驱动电源，尤其是大功率户外LED路灯和商业照明系统，其中要求长寿命、高效率和良好的热稳定性。此外，在家电领域，如空调、洗衣机和冰箱的内部辅助电源或PFC（功率因数校正）电路中，T85HF60也能发挥其高耐压和低损耗的优势。
　　在工业控制方面，该器件可用于电机驱动器中的低压侧开关或隔离式DC-DC变换器的核心开关元件，支持宽输入电压范围下的稳定工作。由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，因此也适用于工业电源、UPS不间断电源系统以及太阳能微逆变器等新能源相关设备。另外，在电池充电器、电动工具电源和通信电源模块中，T85HF60同样是一个成熟且经过验证的选择。
　　值得一提的是，T85HF60还可用于构建有源钳位反激（Active Clamp Flyback）或准谐振（Quasi-Resonant）拓扑结构，这类先进拓扑通过软开关技术进一步降低开关损耗，而T85HF60的快速响应特性和低寄生参数恰好契合此类设计需求。总体而言，该器件凭借其全面的技术指标和成熟的市场验证，已成为许多中等功率等级电源设计中的主流MOSFET之一。