时间：2025/5/24 9:54:21
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NTD24N06LT4G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，由ON Semiconductor（安森美）生产。该器件采用TO-263-3封装形式，适用于多种功率开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其额定电压为60V，连续漏极电流可达24A，适合用于直流-直流转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备等领域。
该MOSFET通过优化的制造工艺，在高频开关条件下能够提供出色的效率表现，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：27nC（典型值）
总电容：218pF（典型值，Vds=25V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263-3
NTD24N06LT4G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，确保在高电流应用中降低功耗。
2. 快速开关性能，适合高频操作环境。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑的封装设计，便于PCB布局和散热管理。
5. 工作温度范围广，适应各种严苛的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
这款MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关应用场景。
5. 电池管理系统中的保护和切换功能。
6. 汽车电子中的电源管理和配电系统。
NTD24N06L, IRFZ44N, FDP15N6S
