GW20NB60HD 时间：2025/7/23 2:04:14 阅读：3

GW20NB60HD 是一款由 Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）设计和生产的高功率、高电压 MOSFET 晶体管，广泛应用于各种工业、电源转换、电机驱动及消费类电子产品中。该器件具备优异的开关性能和导通损耗特性，适用于高效率的功率系统设计。GW20NB60HD 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用了先进的沟槽式（Trench）工艺，确保在高工作电压和大电流条件下依然具有稳定性和可靠性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　连续漏极电流（ID）：20 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.23 Ω（最大值 0.27 Ω）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 36 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等
　　功率耗散（PD）：125 W

特性

GW20NB60HD 的设计采用了先进的 Trench MOS 工艺技术，使其在高电压和大电流应用中具有优异的性能表现。其导通电阻较低，能够在高负载条件下减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和过载保护能力，适用于需要长时间高负荷运行的设备。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，使其在高频开关电源、DC-DC 转换器和逆变器中表现出色。由于其低栅极电荷（Qg），可以减少驱动损耗，从而进一步提升系统的能效。
　　在封装方面，GW20NB60HD 提供 TO-220 和 TO-263（D2PAK）等多种形式，便于在不同的 PCB 设计中进行安装和散热处理。其封装结构也确保了良好的散热性能，有助于维持器件在高温环境下的稳定运行。
　　此外，该器件在制造过程中通过了严格的测试标准，确保其在各种工作条件下的可靠性，适用于工业自动化、家用电器、UPS 系统、LED 照明驱动以及电动车控制系统等领域。

应用

GW20NB60HD 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）
　　? DC-AC 逆变器（如太阳能逆变器、UPS 系统）
　　? 电机控制与驱动电路
　　? LED 照明驱动器
　　? 电动车充电系统
　　? 家用电器（如电磁炉、微波炉等）
　　? 工业自动化与控制系统
　　其高耐压能力和较大的连续漏极电流能力，使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换应用。